公开(公告)号：CN116553494A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310236262.7

申请日：2023-03-13

Applicant: 常州大学

Inventor： 孙尚琪 ,  秦立光 ,  郑兵兵

IPC: C01B21/082 ,  H01M4/58 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体的石墨相氮化碳制备方法及石墨相氮化碳，制备方法包括使用等离子体设备，以含氢气氛为气源，对石墨相氮化碳进行等离子体轰击使其产生氮空位，随后使用其他气氛为气源对含空位石墨相氮化碳进行填充，得到保留部分氮空位的石墨相氮化碳。本发明所得石墨相氮化碳在0.1A/g的电流密度下初始放电容量可达904mA/g，并能够稳定循环750圈以上，且放电容量保持率≥80％，电化学性能优良。

公开(公告)号：CN116864689A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310843119.4

申请日：2023-07-11

Applicant: 常州大学

Inventor： 秦立光 ,  郭昶 ,  杨海涛 ,  孙尚琪 ,  陈景翼 ,  李栋强

IPC: H01M4/62 ,  H01M10/0525 ,  D01F6/48 ,  D01F1/09 ,  D01F1/10 ,  D04H1/728 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明公开了一种锂电池界面缓冲层及其制备方法，界面缓冲层由以下重量份原料制成：聚偏氟乙烯20‑80份；丙酮10‑50份；N,N‑二甲基甲酰胺2‑20份；二水硫酸铈铵0.1‑1份；石墨烯0.5‑2份。制备方法，包括：(1)将上述原料配制成静电纺丝前驱体溶液；(2)对所得静电纺丝前驱体溶液进行静电纺丝，得到静电纺丝纤维膜；(3)对所得静电纺丝纤维膜进行高压极化，得到界面缓冲层。本发明所制备的界面缓冲层力学性能优越，能够缓解锂沉积过程中的应力集聚和体积膨胀，维持金属锂负极的界面稳定性；并且所制备的界面缓冲层能够将沉积过程中产生的应力转化为电场，从而实现锂的均匀沉积，抑制枝晶生长。

公开(公告)号：CN116288088A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310335505.2

申请日：2023-03-31

Applicant: 常州大学

Inventor： 秦立光 ,  李栋强 ,  李国姿 ,  孙尚琪 ,  刘俊杰

IPC: C22F1/08 ,  H01M4/66 ,  H01M4/78 ,  H01M4/70 ,  H01M10/052 ,  H01M12/06 ,  C21D9/00 ,  C25F3/22

Abstract: 本发明涉及锂金属电池领域，尤其涉及一种铜集流体表面结构及内部缺陷一体化构筑方法，包含以下步骤：(1)铜集流体表面的清洗、抛光、再次清洗与干燥；(2)通过机械压入方法一体构筑铜集流体表面微结构及内部缺陷的一体构筑；(3)铜集流体的热处理；(4)处理完毕的铜集流体的清洗与干燥。本发明方法简单，可重复性强，可控性好。铜集流体内部的缺陷可以调节金属锂沉积的成核位点，其外部的三维结构能够重构表面电场分布，延缓反应速率，通过内部缺陷和外部结构的协同作用实现金属锂的均匀形核和沉积，有效抑制锂枝晶的生长。另外，本改性方法仅针对铜集流体自身，不引入任何外来物质，能够最大限度保证锂金属负极的高能量密度优势。

公开(公告)号：CN116581263A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310581994.X

申请日：2023-05-22

Applicant: 常州大学

Inventor： 孙尚琪 ,  郭昶 ,  郑兵兵 ,  秦立光

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种非晶层包覆含氧空位TiNb2O7及其制备方法和应用，制备方法包括：(1)使用真空球磨设备在惰性气氛中球磨；(2)使用等离子体设备，以氢气与惰性气体的混合气为气源对球磨后TiNb2O7进行处理，得到非晶层包覆并含氧空位的TiNb2O7。本发明利用球磨法改善TiNb2O7的团聚现象并在其表面包覆非晶层，同时利用等离子体处理产生氧空位，得到具有低极化电压、高循环容量与高倍率等优势的TiNb2O7，所得TiNb2O7，在1C的电流密度下，初始放电容量可达358mA/g，15C的电流密度下容量可达137mA/g，电化学性能优良。