一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法

    公开(公告)号:CN110844879B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201911111539.3

    申请日:2019-11-14

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法,将纳米线分散到具有多孔薄膜结构的透射电镜(TEM)样品上,之后放入TEM中,选取自由端突出到多孔薄膜孔洞中的纳米线片段,在TEM的观察下按“纳米线削尖—纳米线弯钩—纳米线键合”工艺进行键合处理。本发明利用透射电镜中高能电子束有针对性辐照,实现了非晶纳米线的削尖、弯钩,并最终与多孔薄膜高质量键合在一起,具有原位、灵活可操控、高精度、低温键合等优点。

    一种物理实验演示装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108898928A

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201810985120.X

    申请日:2018-08-28

    Abstract: 本发明提供了一种物理实验演示装置,其支撑框架的相对两侧面中,一侧安装有转动轴A,另一侧通过轴承B安装有轴动轴B,转动轴A中位于支撑框架内的一端固连有U形磁铁、位于支撑框架外侧的一端固连有驱动装置A,支撑框架中上下端面之间的间距大于U形磁铁的开口宽度;转动轴B中位于支撑框架内的一端固连有线圈框架、位于支撑框架外的一端固连有驱动装置B,线圈框架内沿转动轴B的轴向平行设置有红光二极管和黄光二极管;支撑框架中与转动轴B配合的一侧设置有与轴承B配合的水平导轨槽,支撑框架的前后侧面分别螺纹连接有水平螺杆,两水平螺杆的外侧端均设置有转动手柄。该装置演示过程简单、直观,利于学生理解相关的物理知识。

    一种金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN104651790B

    公开(公告)日:2017-10-20

    申请号:CN201510076766.2

    申请日:2015-02-12

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜及其制备方法,目的是提供一种具有金属级电阻率和太阳窗口半导体带隙的Cu/Cu2O弥散复合薄膜及其制备方法。本发明采用平衡磁控溅射镀膜系统,通过直流物理溅射高纯铜靶,在玻璃衬底上沉积了Cu/Cu2O弥散复合薄膜,并通过控制衬底偏压来调节复合薄膜的电阻率和禁带宽度。本发明工艺简单,操作方便,成本降低。本发明制备的Cu/Cu2O弥散复合薄膜,具有大面积、均匀和表面平整等特点,其电阻率为(5.23~9.98)×10‑5Ω·cm,禁带宽度为(2.23~2.47)eV,同时具有金属和半导体双重特性,在太阳能电池、电极材料和光催化等领域具有潜在应用前景。

    一种ZnO/NiFe<base:Sub>2</base:Sub>O<base:Sub>4</base:Sub>纳米阵列复合异质结材料及其制备的太阳能电池

    公开(公告)号:CN107104166A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201710302712.2

    申请日:2017-05-03

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/072 H01L31/0336 H01L31/035227

    Abstract: 本发明公开了一种ZnO/NiFe2O4纳米阵列复合异质结材料,采用以下步骤制备:1)、NiFe2O4凝胶的制备;2)、将ZnO纳米棒阵列安装在镀膜机上,镀膜机的旋转速度为1200转/min,把NiFe2O4凝胶滴加到ZnO纳米棒阵列,180℃燥30分钟,将NiFe2O4凝胶循环重复滴加至ZnO纳米棒阵列中,至NiFe2O4自下而上充分填充到ZnO纳米棒阵列的空隙中,NiFe2O4薄膜将ZnO纳米棒的全面包覆,经过热处理形成ZnO/NiFe2O4复合纳米异质结。同时公开了一种太阳能电池,依次包括:ITO或FTO导电玻璃基底、ZnO晶种层、ZnO纳米棒阵列、NiFe2O4薄膜、金属电极或导电氧化物电极和ITO或FTO导电玻璃基底。该电池成本低,制备简单,电池性能好。

    一种具有快速电致变色响应效果的非晶WO3薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN117778972A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202311505039.4

    申请日:2023-11-13

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有快速电致变色响应效果的非晶WO3薄膜及其制备方法和应用,通过Ni、Ag共掺杂非晶WO3薄膜,在没有降低WO3薄膜的光学调制的前提下大幅度缩短了WO3薄膜的电致变色响应时间,制得的电致变色薄膜具有广阔的应用前景,采用磁控溅射法制备Ni、Ag共掺杂的非晶WO3薄膜,该方法具有均匀镀膜、良好的膜基附着性、易于大面积制备和高重复性等优势,溅射过程中将Ni和Ag丝以井字状固定在W靶上,在溅射WO3薄膜的同时就实现了Ni、Ag共掺杂,方法简单,操作性强。

    一种白光干涉三维形貌再现装置

    公开(公告)号:CN107014309A

    公开(公告)日:2017-08-04

    申请号:CN201710306404.7

    申请日:2017-05-04

    CPC classification number: G01B11/2441 G01B9/0209

    Abstract: 本发明属于光机电一体化的应用装置领域,具体涉及一种白光干涉三维形貌再现装置,包括计算机、驱动装置、依次设置的CCD图像传感器、显微目镜、显微物镜、光学补偿板、分光板和工作台,驱动装置用于驱动工作台等距位移直线运动,光学补偿板和分光板的上表面均复合有半透半反膜,计算机的输出端连接至驱动装置的输入端,CCD图像传感器的输出端连接至计算机的输入端,计算机用于通过再现待测物体朝向分光板的表面的三维形貌。本发明的有益效果是:可预先人工调节显微目镜和显微物镜的位置可以实现从待测物体表面反射的光与光学补偿板上反射的光接近等光程,达到零光程差,实现白光干涉,调节方便;操作简单,制作成本较低,经济价值可观。

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