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公开(公告)号：CN115219796A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210850370.9
申请日：2022-07-19
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种测量SiC器件结电容的装置，包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块，所述无极性模块的输入端接外部电源，输出端接隔离限流泄放模块，所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块；所述隔离测试模块设有测试接口，所述隔离测试模块的两端分别接测试接口和电容测试仪器。本发明通过设置隔离限流泄放模块保护被测元件及电容测试仪器，通过隔离测试模块的测试接口来连接被测元件，隔离测试模块还可以保护电容测试仪器不被直流高压损坏，提高电容测试的精度及可靠性。
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公开(公告)号：CN102231358A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110144534.8
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司 , 常州久和电子有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种二极管硅片上色装置，其包括转盘、转盘驱动装置、硅片真空吸盘以及墨盒，硅片真空吸盘设置于转盘上，硅片真空吸盘上设置有通孔，转盘中设置有空腔，硅片真空吸盘上的通孔与该空腔贯通，空腔的气阀接口连接吸气装置，所述的墨盒设置于硅片真空吸盘的上方，其下表面设置有用于对二极管硅片上色的海绵。本发明的二极管硅片上色装置上色效率高，而且上色均匀，节约墨，不会造成工作环境的污染。
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公开(公告)号：CN115605027A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211325077.7
申请日：2022-10-27
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司(CN)
Abstract: 本发明公开了一种瞬态电压抑制二极管，包括聚合物开关、TVS管芯片、封装体和引出脚；所述聚合物开关与TVS管芯片串接后封装在封装体内；所述引出脚设有两根，两根引出脚分别连接串接后的聚合物开关和TVS管芯片的两端并从封装体的两端引出；所述聚合物开关在常态时呈现低阻状态，而当TVS管芯片处于击穿失效时，整体TVS管则呈现高阻状态。本发明通过串接聚合物开关的方式，使TVS瞬态电压抑制二极管在并联于电源回路中，一旦击穿失效能呈现高阻状态，显著提高整体电路部件的安全性，降低整个应用电路部件的失效成本,且使维修更为简便。
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公开(公告)号：CN115032457A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210782149.4
申请日：2022-07-01
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: G01R27/14
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的动态电阻的测量电路，包括：恒流源；为所述测量电路的元器件提供稳定的横流电流；方波驱动器，输出单一脉冲或连续脉冲；测量保持电路，包括电压测量仪，所述测量保持电路与所述恒流源的输出端连接；电子开关，为三路电子开关，一路连接所述恒流源的输出端，一路连接所述方波驱动器，另一路连接所述测量保持电路；采样电路，包括三个用于连接待测功率器件的接口；三个所述接口分别与所述恒流源、方波驱动器和测量保持电路连接。本发明的电路不但适用于SiC功率器件，而且也适用于常规的功率器件及氮化镓器件以及IGBT模块的测量。
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公开(公告)号：CN112821740A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110086631.X
申请日：2021-01-22
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: H02M1/32 , H02M1/08 , H01L25/16 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置，包括主芯片、基板，主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同，金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极；金属板外表面设有封装壳体；主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点，第一触点引出端为栅极，第二触点引出端为漏极，第三触点引出端为源极，第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域；基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管；热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。该内驱动保护装置通过对碳化硅MOSFET进行栅驱动电压限制和热量限制，有效解决栅驱动电压被击穿和电路热量平衡问题，提高电力电子变换器的可靠性；该碳化硅MOSFET不需要引入外置保护电路，结构简单，装配简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111404133A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010151663.9
申请日：2020-03-06
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: H02H9/04 , H01L23/04 , H01L23/367 , H05K7/20
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及碳化硅二极管芯片内专用保护电路，包括封装外壳、位于封装外壳内的一个或多个串联在一起的芯片以及连接于封装外壳两端的引线，所述芯片内设有碳化硅二极管、保护电路，所述保护电路包括电感和电容，所述电感和电容串联形成的保护电路与碳化硅二极管并联；所述保护电路还包括与电容并联的电阻，并联的电容和电阻与电感串联。该专用保护电路在封装结构内消除吸收碳化硅二极管在应用时与电感元件所产生的尖峰高压及高频干扰谐波，从而保护电路，提高碳化硅二极管的使用寿命；稳定并拉宽禁带的宽度，提高深度，吸收寄生谐波。
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公开(公告)号：CN102231358B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110144534.8
申请日：2011-05-31
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司 , 常州久和电子有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种二极管硅片上色装置，其包括转盘、转盘驱动装置、硅片真空吸盘以及墨盒，硅片真空吸盘设置于转盘上，硅片真空吸盘上设置有通孔，转盘中设置有空腔，硅片真空吸盘上的通孔与该空腔贯通，空腔的气阀接口连接吸气装置，所述的墨盒设置于硅片真空吸盘的上方，其下表面设置有用于对二极管硅片上色的海绵。本发明的二极管硅片上色装置上色效率高，而且上色均匀，节约墨，不会造成工作环境的污染。
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公开(公告)号：CN102244001A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110178578.2
申请日：2011-06-29
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了二极管酸洗脱水工艺，包括如下工序：首先将二极管组件送入化学酸洗段，分别进行3次酸洗，4次冲水，将冲洗后的二极管组件送入至水超声清洗段进行超声清洗；结束后，将二级管组件送入至烘干段，烘干后，将二极管组件送入至冷却段，将冷却好的二极管组件依次送入至1号异丙醇缸与2号异丙醇缸内进行清洗，结束二极管酸洗脱水工序，二极管酸洗脱水设备，包括依次连接的化学酸洗段、水超声清洗段、烘干段、冷却段、1号异丙醇缸和2号异丙醇缸，所述的烘干段设置有紫外灯和温度开关，所述的紫外灯与温度开关相连接；所述的冷却段设置有风扇和风速调节开关，所述的风扇与风速调节开关相连接。
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公开(公告)号：CN102161039A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110138163.2
申请日：2011-05-26
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司 , 常州久和电子有限公司
Abstract: 本发明涉及一种筛选装置，具体涉及一种对晶片生产过程中的裂片进行筛选的裂片自动筛选装置，其包括机架、设置在机架上能够来回摆动的摇摆机构、设置在摇摆机构上跟随摇摆机构一起摆动的筛网，以及驱动摇摆机构来回摆动的驱动机构。本发明无需人工操作、其能够避免因人为筛动用力不当造成的晶片破损、缺角等不良现象，提高了生产效率；另外通过更换不同的筛网能够满足各种型号晶粒的筛选要求。
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公开(公告)号：CN222087791U
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202323474106.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 常州佳讯光电产业发展有限公司
Abstract: 本实用新型涉及TVS管检验技术领域，尤其涉及一种交流TVS管检验装置,解决了TVS管在生产过程中通常要对TVS管接入电流，来检测其电气性能，保证TVS的生产质量，目前通过人工依次检测的效率较低的问题，包括输送带与固定在所述输送带上的检测仪，所述输送带上固定有多个卡接机构，且输送带的一端设置有检测部件，并且输送带的下端设置有滑道。通过需要检测的TVS管依次放置在卡接机构上，由输送带的运行带动TVS管移动，并在移动的过程中对TVS管进行检验，同时在检验后，通过拨板对旋转块进行拨动，可使检验完成后的TVS管自动脱离卡接机构并对其进行收集，从而避免由人工依次对TVS管进行检验，大大的提高了TVS管的检验效率。
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