一种功率器件的动态电阻的测量电路

    公开(公告)号:CN115032457A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210782149.4

    申请日:2022-07-01

    Abstract: 本发明公开了一种功率器件的动态电阻的测量电路,包括:恒流源;为所述测量电路的元器件提供稳定的横流电流;方波驱动器,输出单一脉冲或连续脉冲;测量保持电路,包括电压测量仪,所述测量保持电路与所述恒流源的输出端连接;电子开关,为三路电子开关,一路连接所述恒流源的输出端,一路连接所述方波驱动器,另一路连接所述测量保持电路;采样电路,包括三个用于连接待测功率器件的接口;三个所述接口分别与所述恒流源、方波驱动器和测量保持电路连接。本发明的电路不但适用于SiC功率器件,而且也适用于常规的功率器件及氮化镓器件以及IGBT模块的测量。

    一种测量SiC器件结电容的装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115219796A

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN202210850370.9

    申请日:2022-07-19

    Abstract: 本发明公开了一种测量SiC器件结电容的装置,包括无极性模块、隔离限流泄放模块和隔离测试模块,所述无极性模块的输入端接外部电源,输出端接隔离限流泄放模块,所述隔离限流泄放模块的输出端接隔离测试模块;所述隔离测试模块设有测试接口,所述隔离测试模块的两端分别接测试接口和电容测试仪器。本发明通过设置隔离限流泄放模块保护被测元件及电容测试仪器,通过隔离测试模块的测试接口来连接被测元件,隔离测试模块还可以保护电容测试仪器不被直流高压损坏,提高电容测试的精度及可靠性。

    一种小结电容TVS器件
    3.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218069846U

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202222022617.6

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本实用新型公开了一种小结电容TVS器件,包括快恢复二极管芯片、TVS管芯片、封装壳体、第一引出脚和第二引出脚;所述快恢复二极管芯片和TVS管芯片以背对背的方式串联封装在封装壳体内;所述第一引出脚的一端设置在封装壳体内并连接快恢复二极管芯片远离TVS管芯片的一端;所述第二引出脚的一端设置在封装壳体内并连接TVS管芯片远离快恢复二极管芯片的一端;所述第一引出脚和第二引出脚的另一端位于封装壳体的外部。本实用新型将快恢复二极管芯片和TVS管芯片以背对背的方式串联封装在封装壳体内形成的组合二极管器件,能够减小结电容,同时获得比单个TVS管更快的响应速度。

    一种反向恢复时间小的二极管组合器件

    公开(公告)号:CN218069845U

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN202222005076.6

    申请日:2022-08-01

    Abstract: 本实用新型公开了一种反向恢复时间小的二极管组合器件,包括二极管、封装壳体、第一引脚和第二引脚;所述二极管设有至少两个,并且全部二极管顺向串联封装在封装壳体内;所述第一引脚和第二引脚的一端均设置在封装壳体内并分别连接串联后全部二极管的两端;所述第一引脚和第二引脚的另一端位于封装壳体的外部。本实用新型通过将至少两个二极管顺向串联,能够减小反向恢复时间TRR,而二极管顺向串联后封装在封装壳体内,使得本实用新型成为一个组合器件,实现了不增加PCB板的焊点,又能提高开关电源线路的工作频率达到缩小开关电源整机体积的目的。

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