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公开(公告)号：CN116825837A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310849065.2
申请日：2023-07-12
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种基于器件结构优化提升AlGaN/GaN异质结场效应晶体管跨导和特征频率方法，属于晶体管器件研究技术领域。传统的提升跨导和特征频率方法，工艺复杂，实验条件严苛，并已经走到了GaN材料物理极限。本发明在一定程度上只需优化器件的结构，制作LGS/LG和LGD/LG比值更大的AlGaN/GaN HFET，以及制作LG更小的AlGaN/GaN HFET增强极化库仑场散射，增强栅压对电子速度的调制能力，或者制作LGS以及LG更小的AlGaN/GaN HFET增强沟道的电子速度，同样达到提升AlGaN/GaN HFET跨导和特征频率的效果，具有简单、直接、可操作性强等特点。
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公开(公告)号：CN107742643A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710930227.X
申请日：2017-10-09
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 一种提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，相对于传统的利用外部电路提高器件线性度的方法，本发明在一定程度上增大极化库仑场散射，增强其对极化光学声子散射的抵消作用，将会使得RS具有更小的改变量，从而达到提高器件线性度的最终目的，从而使其具有简单、直接、可操作性强和集成度高等特点。
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公开(公告)号：CN101794699B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010129547.3
申请日：2010-03-23
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种可装配二维微等离子体阵列装置及其制备方法，该装置由至少两个电极层与至少一个微腔层层叠排列而成，各层之间密切接触，两个最外侧均为电极层，所有电极层与微腔层上均设有至少两个定位孔，所有电极层和微腔层均通过定位孔对齐；微腔层是表面覆盖介电层的导电材料片，或是绝缘材料组成的绝缘片；微腔层的边缘设有凹陷的线阵列微腔，各个微腔之间由障壁隔离开；电极层是导电材料片；由微腔层和电极层中分别引出电极。制备方法是将片状材料裁切成相同的矩形片作为电极层和微腔层，将电极层与微腔层对齐，按照要求逐层装配。本发明可灵活改变微等离子体阵列尺寸，降低了工艺难度与成本，提高了装置阵列密度、装置尺寸与可靠性。
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公开(公告)号：CN116207161A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210532091.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/80 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种具有辅助栅结构的旁栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及工作方法与应用，属于微电子研究技术领域，相对于具有辅助栅结构的开口栅AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入由一对不与沟道接触、对称分布在沟道两侧且形状相同的金属电极组成的旁栅，旁栅下面的二维电子气不参与导电，只有漏‑源沟道导通，使得本发明用作低功耗A类电压放大器时，输入电压信号可以从0V开始向负偏压变化。通过对旁栅和辅助栅施加不同偏压，可以获得不同的器件工作模式，使得本发明在电路中的应用更加灵活，更适合于日益复杂的集成电路领域。
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公开(公告)号：CN114361035A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111558290.8
申请日：2021-12-20
Applicant: 山东大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能的方法，该方法在不改变器件结构和材料组分的情况下，通过使用双(三氟甲烷)磺酰亚胺对已经制备完成的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管进行表面处理，即在空气环境下将InAlN/GaN高电子迁移率晶体管置于特定浓度的TFSI溶液中浸泡一定的时间，溶液中的氢离子会中和InAlN势垒层中的部分极化电荷，降低极化库仑场散射，从而提高InAlN/GaN高电子迁移率晶体管二维电子气迁移率及器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114759085B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210196597.6
申请日：2022-03-02
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/285 , H01L21/335 , C23C14/06
Abstract: 本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比Ion/Ioff，以及降低亚阈值摆幅SS。
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公开(公告)号：CN114759085A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210196597.6
申请日：2022-03-02
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/51 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/285 , H01L21/335 , C23C14/06
Abstract: 本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAlN介质层。在GaN帽层上高温生长ScAlN介质层，高温生长的ScAlN与GaN帽层之间的界面陷阱态较少，界面电荷散射较弱，而且ScAlN可以有效钝化材料表面，减少表面陷阱态，从而提高器件的的最大饱和电流IDmax，降低导通电阻Ron。同时，可有效抑制栅下电子隧穿，降低器件栅极漏电和关态漏电流，从而提高栅极控制能力，增加开关电流比Ion/Ioff，以及降低亚阈值摆幅SS。
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公开(公告)号：CN113823680A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110080815.5
申请日：2021-01-21
Applicant: 山东大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明涉及一种新型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管及应用，属于微电子研究技术领域，相对于传统的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，本发明引入了新型的开口栅结构，且具有全新的器件调控机理。开口区域的二维电子气密度不受栅偏压调控，因此器件可以在栅下电子被耗尽后继续导通，此后通过极化库仑场散射调控开口区域的电子迁移率，实现对开口区域电流的调制，从而使器件阈值电压明显降低，并且可以通过改变开口区域的宽度，实现对阈值电压的调控。这种具有开口栅结构的新型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管，更适合应用于低功耗的A类电压放大器。
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公开(公告)号：CN103673866B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310682762.X
申请日：2013-12-13
Applicant: 山东大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 确定GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变的方法，属微电子技术领域，该方法的基本原理是首先使用半导体参数测试仪直接得到GaN异质结场效应晶体管栅极和源极间的电容-电压（C-V）和正向电流-电压（I-V）特性曲线，结合势垒层电容分析得到栅下总的极化电荷密度，然后结合GaN异质结材料的自发极化和压电极化理论，分析得到GaN异质结场效应晶体管栅下势垒层应变。本发明与现有测试技术相比较，测试方法更加容易、直接、准确，分辨率也更高，而且解决了现有测试方法无法测试栅下势垒层应变的问题。
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公开(公告)号：CN101707173B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910229779.3
申请日：2009-11-06
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明公开了一种三维立体全息等离子体显示器件，包括电极网络层和缓冲层，电极网络层和缓冲层间隔层叠，形成立体空间结构；电极网络层由边框、行电极和列电极组成，行电极与列电极分别位于边框的一侧，行电极与行电极之间相互平行，列电极与列电极之间相互平行，行电极与列电极异面正交，两者之间存在空间距离，形成放电空间，放电空间中充满放电气体；缓冲层由透明边框组成，边框上无电极分布，缓冲层将相邻的两个电极网络层分开，为相邻的电极网络层的行列电极提供放电间隙。本发明采用等离子体放电实现了真正三维立体显示器件，该器件提高了三维显示器件的分辨率与清晰度，同时降低了器件的成本。
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