公开(公告)号：CN101055871A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710091796.6

申请日：2007-04-11

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 莲沼英司

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出了一种半导体存储器件，包括：多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；位线接触部，形成于第一单元接触部上；位线，对其布线使得在位线接触部上穿过；存储节点接触部，形成于第二单元接触部上；存储节点接触焊盘，形成于存储节点接触部上；以及存储电容器，形成于存储节点接触焊盘上。存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿规定方向偏移。存储节点接触焊盘的中心位置相对于存储节点接触部的中心位置沿规定方向偏移。

公开(公告)号：CN1992279A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610170056.7

申请日：2006-12-15

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 莲沼英司

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10897 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76865 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10888

Abstract: 半导体存储器件含有在衬底(1)上形成的存储单元和外围晶体管。所述存储单元配置有在所述衬底上形成的选择晶体管和连接到所述选择晶体管上的电容器。所述外围晶体管的扩散层(5)通过第一接触(C1、21、31)连接到上层互连上。所述外围晶体管和所述选择晶体管的栅电极(3)通过各自的第二接触(C2、32)连接到上层互连上。所述选择晶体管的扩散层(4)通过第三接触(C3、6、33)连接到位线和所述电容器中的任一个上。在所述第一接触、所述第二接触和所述第三接触之中，只在所述第一接触(C1、21、31)中选择性形成硅化物(21)。

公开(公告)号：CN101055871B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200710091796.6

申请日：2007-04-11

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 莲沼英司

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/522 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出了一种半导体存储器件，包括：多个有源区，在半导体衬底中以带状形成；多条字线，以相等的间隔排列以便与有源区交叉；多个单元接触部，包括在有源区中沿其纵向在中心部分形成的第一单元接触部，和沿纵向在两端处的每一端部形成的第二单元接触部；位线接触部，形成于第一单元接触部上；位线，对其布线使得在位线接触部上穿过；存储节点接触部，形成于第二单元接触部上；存储节点接触焊盘，形成于存储节点接触部上；以及存储电容器，形成于存储节点接触焊盘上。存储节点接触部的中心位置相对于第二单元接触部的中心位置沿规定方向偏移。存储节点接触焊盘的中心位置相对于存储节点接触部的中心位置沿规定方向偏移。