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公开(公告)号：CN100444380C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510081036.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L23/525 , G11C5/02 , G11C5/04 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01019 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠式半导体器件，包括：多个半导体芯片以及贯穿听述至少一个半导体芯片的导电通路。将听述半导体芯片堆叠在一起。通过所述导电通路将所述半导体芯片电连接，所述每一个导电通路具有贯穿对应所述半导体芯片的多个贯通连接。
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公开(公告)号：CN100383968C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510081489.0
申请日：2005-06-29
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/108 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/52 , G06F13/00
CPC classification number: G11C5/04 , G11C5/063 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2924/01019 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维半导体存储器件，用于降低在数据传送过程中充电和放电不可避免的互连电容以及降低功耗，它包括：多个存储器单元阵列芯片，其中的存储体存储器被分成子存储体，子存储体的组织和设置是根据输入/输出比特进行的，芯片层迭在第一半导体芯片上；以及芯片间互连线，用于连接所述存储器单元阵列，使得子存储体的相应的输入/输出比特是一样的，芯片间互连线的数目是根据输入/输出比特的数目，芯片间互连线沿层迭的方向穿过存储单元器阵列芯片。
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公开(公告)号：CN1716598A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081036.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L25/00
CPC classification number: H01L23/525 , G11C5/02 , G11C5/04 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/01019 , H01L2924/13091 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠式半导体器件，包括：多个半导体芯片以及贯穿所述至少一个半导体芯片的导电通路。将所述半导体芯片堆叠在一起。通过所述导电通路将所述半导体芯片电连接，所述每一个导电通路具有贯穿对应所述半导体芯片的多个贯通连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100543864C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200510081029.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: G11C5/02 , G11C5/06 , G11C11/34 , H01L25/065 , H01L27/10
Abstract: 本发明的堆叠式半导体存储器器件的目的在于减少开发多种存储器器件的成本，并且包括：具有存储单元阵列的存储单元阵列芯片、与存储单元阵列芯片堆叠在一起且具有用于改变存储单元阵列的输入/输出位配置的存储器配置切换电路的接口芯片、以及用于连接存储单元阵列芯片和接口芯片的多条芯片间接线。
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公开(公告)号：CN1716599A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081348.9
申请日：2005-06-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/063 , G11C5/02 , G11C7/18 , H01L25/0657 , H01L27/10897 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种其中叠置了多个半导体电路芯片的三维半导体器件，所述三维半导体器件具有多个用于这些半导体电路芯片之间的信号传输的芯片间互连，当传输信号时，仅选择用作信号传输的一个芯片间互连，并通过在芯片间互连和信号线之间设置的开关，电隔离其它芯片间互连。因此，使与互连的充电和放电有关的芯片间互连电容最小化。
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公开(公告)号：CN100421250C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510081348.9
申请日：2005-06-27
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L27/108
CPC classification number: G11C5/063 , G11C5/02 , G11C7/18 , H01L25/0657 , H01L27/10897 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种其中叠置了多个半导体电路芯片的三维半导体器件，所述三维半导体器件具有多个用于这些半导体电路芯片之间的信号传输的芯片间互连，当传输信号时，仅选择用作信号传输的一个芯片间互连，并通过在芯片间互连和信号线之间设置的开关，电隔离其它芯片间互连。因此，使与互连的充电和放电有关的芯片间互连电容最小化。
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公开(公告)号：CN1725366A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510081029.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: G11C5/02 , G11C5/06 , G11C11/34 , H01L25/065 , H01L27/10
Abstract: 本发明的堆叠式半导体存储器器件的目的在于减少开发多种存储器器件的成本，并且包括：具有存储单元阵列的存储单元阵列芯片、与存储单元阵列芯片堆叠在一起且具有用于改变存储单元阵列的输入/输出位配置的存储器配置切换电路的接口芯片、以及用于连接存储单元阵列芯片和接口芯片的多条芯片间接线。
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公开(公告)号：CN1716602A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200510081489.0
申请日：2005-06-29
Applicant: 尔必达存储器股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L27/108 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/52 , G06F13/00
CPC classification number: G11C5/04 , G11C5/063 , H01L25/0657 , H01L2224/16145 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2924/01019 , H01L2924/10253 , H01L2924/00
Abstract: 一种三维半导体存储器件，用于降低在数据传送过程中充电和放电不可避免的互连电容以及降低功耗，它包括：多个存储器单元阵列芯片，其中的存储体存储器被分成子存储体，子存储体的组织和设置是根据输入/输出比特进行的，芯片层迭在第一半导体芯片上；以及芯片间互连线，用于连接所述存储器单元阵列，使得子存储体的相应的输入/输出比特是一样的，芯片间互连线的数目是根据输入/输出比特的数目，芯片间互连线沿层迭的方向穿过存储单元器阵列芯片。
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