半导体存储装置及其误码修正方法

    公开(公告)号:CN1716443B

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200510078607.2

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: G06F11/1044

    Abstract: 一种半导体存储装置,其具备:具有数据区域和检验码区域的存储器阵列;在数据保持状态中,控制刷新动作的刷新控制机构;将数据区域规定位列作为处理单元,进行编码运算生成检验码,并使用检验码进行译码运算,对数据进行误码检测修正的运算机构;作为转移到数据保持状态时的编码处理,控制对存储器阵列相互垂直的第1方向和第2方向,根据第1方向位列生成第1编码,根据第2方向位列生成的第2编码,分别可以区别地写入检验码区域的编码控制机构;作为结束数据保持状态时的译码处理,第1编码的第1位误码修正,第2编码的第2位误码修正,在运算机构交替执行,至少分别执行第1位误码修正和第2位误码修正2次以上的译码控制机构。

    半导体存储装置及其误码修正方法

    公开(公告)号:CN1716443A

    公开(公告)日:2006-01-04

    申请号:CN200510078607.2

    申请日:2005-06-20

    CPC classification number: G06F11/1044

    Abstract: 一种半导体存储装置,其具备:具有数据区域和检验码区域的存储器阵列;在数据保持状态中,控制刷新动作的刷新控制机构;将数据区域规定位列作为处理单元,进行编码运算生成检验码,并使用检验码进行译码运算,对数据进行误码检测修正的运算机构;作为转移到数据保持状态时的编码处理,控制对存储器阵列相互垂直的第1方向和第2方向,根据第1方向位列生成第1编码,根据第2方向位列生成的第2编码,分别可以区別地写入检验码区域的编码控制机构;作为结束数据保持状态时的译码处理,第1编码的第1位误码修正,第2编码的第2位误码修正,在运算机构交替执行,至少分别执行第1位误码修正和第2位误码修正2次以上的译码控制机构。

Patent Agency Ranking