公开(公告)号：CN100593905C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200610137452.X

申请日：2006-10-25

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中村正行 ,  余公秀之

IPC: H03H11/28 ,  H03K19/00 ,  G06F13/38

CPC classification number: H04L25/0278 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C2207/2254

Abstract: 从与ZQ定标命令不同的来自外部的命令内部生成ZQ定标命令，自动追加实施ZQ定标动作。从输入的命令到下一命令输入的间隔，确保ZQ定标期间。作为该命令，希望是自更新命令。追加ZQ定标动作，ZQ定标间隔缩短，能取得能进行更正确的ZQ定标动作的ZQ定标电路。

公开(公告)号：CN1956326A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200610137452.X

申请日：2006-10-25

Applicant: 尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 中村正行 ,  余公秀之

IPC: H03H11/28 ,  H03K19/00 ,  G06F13/38

CPC classification number: H04L25/0278 ,  G11C7/1051 ,  G11C7/1057 ,  G11C2207/2254

Abstract: 从与ZQ定标命令不同的来自外部的命令内部生成ZQ定标命令，自动追加实施ZQ定标动作。从输入的命令到下一命令输入的间隔，确保ZQ定标期间。作为该命令，希望是自更新命令。追加ZQ定标动作，ZQ定标间隔缩短，能取得能进行更正确的ZQ定标动作的ZQ定标电路。

公开(公告)号：CN101276641B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200810005561.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 竹村理一郎 ,  关口知纪 ,  秋山悟 ,  中谷浩晃 ,  中村正行

IPC: G11C11/4076

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C2207/2272

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体器件为了稳定地实现以所指定的延迟、外部时钟频率进行的动作，而与制造偏差、动作电压偏差、温度变化相对应地产生适当的内部定时信号。该半导体存储器件具有第一延迟电路块和第二延迟电路块，其中，上述第一延迟块用于产生要在由外部输入指令周期确定的列周期时间进行动作的电路块的定时信号，上述第二延迟电路块用于将整体的延迟量调节为由外部时钟和延迟确定的访问时间与列周期时间的差。这些延迟电路块按照列延迟、动作频率而将各延迟电路的延迟量调节为适当的值，并且与处理、动作电压的偏差、动作温度的变化对应地调节延迟量。

公开(公告)号：CN101276641A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810005561.5

申请日：2008-02-15

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器股份有限公司

Inventor： 竹村理一郎 ,  关口知纪 ,  秋山悟 ,  中谷浩晃 ,  中村正行

IPC: G11C11/4076

CPC classification number: G11C7/04 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/1072 ,  G11C7/22 ,  G11C7/222 ,  G11C11/4076 ,  G11C2207/2272

Abstract: 本发明提供一种半导体存储器件，该半导体器件为了稳定地实现以所指定的延迟、外部时钟频率进行的动作，而与制造偏差、动作电压偏差、温度变化相对应地产生适当的内部定时信号。该半导体存储器件具有第一延迟电路块和第二延迟电路块，其中，上述第一延迟块用于产生要在由外部输入指令周期确定的列周期时间进行动作的电路块的定时信号，上述第二延迟电路块用于将整体的延迟量调节为由外部时钟和延迟确定的访问时间与列周期时间的差。这些延迟电路块按照列延迟、动作频率而将各延迟电路的延迟量调节为适当的值，并且与处理、动作电压的偏差、动作温度的变化对应地调节延迟量。