公开(公告)号：CN101540190A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910128944.6

申请日：2009-03-17

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 梶谷一彦 ,  吉田宗一郎

IPC: G11C7/08 ,  G11C7/12

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C7/067 ,  G11C11/22 ,  G11C11/223 ,  G11C11/4076 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4094 ,  G11C11/4097 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C13/004

Abstract: 本发明提供了一种具有单端读出放大器的半导体器件。补偿了制造工艺、电源电压、接合点温度和造成变化的其它因素，并防止了读出放大器的操作裕度减小。具有分级位线结构的半导体存储器件中的单端读出放大器包括：第一MOS晶体管，其用于放大从存储单元输出到位线的信号；第二MOS晶体管，其用于将第一MOS晶体管的输出供给到全局位线；以及全局位线电压确定电路；并且通过包括第一MOS晶体管的复制品和全局位线电压确定电路的复制品的延迟电路的输出信号，来控制至少第二MOS晶体管的导通/截止时序或者包括全局位线电压确定电路的全局读出放大器的读取时序。