公开(公告)号：CN101964322A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010233389.6

申请日：2010-07-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 伊泽光贵

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10888 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/7687 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10855

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成第一孔；在所述第一孔内形成阻挡膜；在所述第一孔中填充导电材料以形成第一插塞；在所述第一层间绝缘膜上形成第二层间绝缘膜；在所述第二层间绝缘膜中形成达到所述第一插塞的第二孔；在所述第二孔内选择性地蚀刻所述阻挡膜的上端；以及在所述第二孔内形成用于连接到所述第一插塞的第二插塞。