公开(公告)号：CN1222030C

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN02106299.4

申请日：2002-04-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 驹田大辅 ,  各務克巳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩模的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶膜作为蚀刻掩模，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩模，对第一膜进行蚀刻。

公开(公告)号：CN1411050A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02106299.4

申请日：2002-04-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 驹田大辅 ,  各務克巳

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76811 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76897

Abstract: 本发明提供半导体器件制造方法，其采用可以很容易地去除蚀刻阻止膜或碳化硅制成的硬掩膜的工艺。具体地，在半导体衬底上形成第一膜，该第一膜由蚀刻抗力不同于碳化硅的绝缘材料制成。在第一膜上形成由加氢的碳化硅制成的第二膜。在第二膜上形成具有开口的光刻胶膜。通过以光刻胶掩膜作为蚀刻掩膜，并使用添加SF6和NF3中的至少一个的碳氟化合物气体的混合气体对第二膜进行干蚀刻。以第二膜作为掩膜，对第一膜进行蚀刻。