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公开(公告)号：CN1448991A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN03109609.3
申请日：2003-04-09
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/70 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。
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公开(公告)号：CN1661368A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410003186.2
申请日：2004-02-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G01N30/96
Abstract: 本发明公布了一种预测离子注入中的离子分布的方法，包括以下步骤：初始化离子、靶原子材料，并输入和分裂、散射相关的数据文件；在离子的运动过程中，使能量高于离子分裂能量Es的离子分裂成两个虚离子；重复上述离子分裂的步骤，计算体系中所有虚离子的停止位置，得到最终的离子分布，其中，对离子的分裂进行控制，使得更多的离子在高能的条件下运动，从而有更多的离子进入统计稀有区。本发明的方法改进了传统的离子注入预测流程，大幅度地提高了预测结果的精度和可靠性，缩短了预测时间，提高了后续工艺处理的精度。
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公开(公告)号：CN1194387C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN03109609.3
申请日：2003-04-09
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/70 , H01J37/317
Abstract: 本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，不断产生注入过程中的缺陷分布；虚离子模拟注入的射程分布，不必跟踪级联碰撞，亦不产生注入靶材料的缺陷分布。本发明的模拟方法，离子注入的射程分布可以很好地被模拟，模拟结果很好地符合SIMS的实验结果；对离子注入的模拟不但可以保持高精度，而且还可以实现高速高效模拟；同时由于本发明的模拟方法引入了缺陷产生，得到的缺陷分布还可以应用后续的退火模拟，并最终实现完全的工艺仿真。
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公开(公告)号：CN1841680A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200510099496.3
申请日：2005-09-06
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238 , H01L29/78 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2652 , H01L21/28238 , H01L21/28518 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/105 , H01L29/6659
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中能够容易且可靠地实现沟道区域中的理想阶梯式分布，由此能同时抑制短沟道效应及防止迁移率下降。从半导体膜起将硅衬底非晶化到预定深度，并且在这种状态下引入将成为源极/漏极的杂质。然后激活杂质，并且通过低温固相外延再生长将非晶化的部分再结晶。由于低温固相外延再生长所需的处理温度在450℃－650℃范围内，因而能够抑制杂质热扩散到半导体膜，从而保持初始陡峭的阶梯式分布。
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