公开(公告)号：CN100401493C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610009428.8

申请日：2003-09-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀充明 ,  田村直义 ,  滋野真弓

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提出一种半导体器件及其评估方法和处理条件评估方法。本发明的半导体器件的特性的评估方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成氮氧化硅膜；测量氮氧化硅膜中的主要氮原子与氮原子总数的存在比例，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子上，连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子；以及根据测量的存在比例评估采用该氮氧化硅膜作为栅极绝缘膜的MISFET的特性。

公开(公告)号：CN1245766C

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN03158503.5

申请日：2003-09-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀充明 ,  田村直义 ,  滋野真弓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 由氮氧化硅膜构成的栅极绝缘膜淀积在半导体衬底上。栅极淀积在栅极绝缘膜上。源区和漏区淀积在栅极两侧。栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子总数的比例为20%或20%以下，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子，并且连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子。

公开(公告)号：CN1495912A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03158503.5

申请日：2003-09-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀充明 ,  田村直义 ,  滋野真弓

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 由氮氧化硅膜构成的栅极绝缘膜淀积在半导体衬底上。栅极淀积在栅极绝缘膜上。源区和漏区淀积在栅极两侧。栅极绝缘膜中存在的主要氮原子与氮原子总数的比例为20％或20％以下，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子，并且连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子。

公开(公告)号：CN1832123A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610009428.8

申请日：2003-09-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 堀充明 ,  田村直义 ,  滋野真弓

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/823462 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提出一种半导体器件及其评估方法和处理条件评估方法。本发明的半导体器件的特性的评估方法包括以下步骤：在半导体衬底的表面上形成氮氧化硅膜；测量氮氧化硅膜中的主要氮原子与氮原子总数的存在比例，其中每个主要氮原子的三个键都耦合到硅原子上，连接到主要氮原子的三个硅原子的每个的其余三个键都耦合到其它氮原子；以及根据测量的存在比例评估采用该氮氧化硅膜作为栅极绝缘膜的MISFET的特性。