公开(公告)号：CN1282253C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN02106726.0

申请日：2002-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 和田一 ,  冈部坚一 ,  渡边孔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/1083

Abstract: 一种半导体器件，它具有确定在硅衬底主表面上的第一和第二有源区、制作在第一有源区中并具有第一延伸区和深于第一延伸区并被第一浓度的铟掺杂的第一小袋区域的第一n沟道MOS晶体管、以及制作在第二有源区中并具有第二延伸区和深于第二延伸区并被低于第一浓度的第二浓度的铟掺杂的第二小袋区域的第二n沟道MOS晶体管。硼离子可以被注入到第二小袋区域中。借助于注入铟离子，能够形成小袋区域，并能够降低铟注入引起的漏电流的增大。

公开(公告)号：CN1393935A

公开(公告)日：2003-01-29

申请号：CN02106726.0

申请日：2002-03-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 和田一 ,  冈部坚一 ,  渡边孔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/425

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L29/1083

Abstract: 一种半导体器件，它具有确定在硅衬底主表面上的第一和第二有源区、制作在第一有源区中并具有第一延伸区和深于第一延伸区并被第一浓度的铟掺杂的第一小袋区域的第一n沟道MOS晶体管、以及制作在第二有源区中并具有第二延伸区和深于第二延伸区并被低于第一浓度的第二浓度的铟掺杂的第二小袋区域的第二n沟道MOS晶体管。硼离子可以被注入到第二小袋区域中。借助于注入铟离子，能够形成小袋区域，并能够降低铟注入引起的漏电流的增大。