-
公开(公告)号：CN111095105B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880059342.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用了感光化射线性或感放射线性的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，该感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有树脂(A)且用于形成膜厚为2μm以上的膜，上述树脂(A)包含具有酸性基团的重复单元及具有酸分解性基团的重复单元，上述具有酸性基团的重复单元的含量相对于上述树脂(A)中的所有重复单元为15摩尔％以上，上述具有酸分解性基团的重复单元的含量相对于上述树脂(A)中的所有重复单元大于20摩尔％，上述树脂(A)的玻璃化转变温度为145℃以下。
-
公开(公告)号：CN114207526A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054129.4
申请日：2020-08-12
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够形成抑制灵敏度降低且对基板的密合性(特别是干燥状态下的密合性)优异的感光化射线性或感放射线性膜的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、以及使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的感光化射线性或感放射线性膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有(A)通过酸的作用而极性增大的树脂、(B)光产酸剂、(P)氧化胺及(D)酸扩散控制剂(其中，相当于氧化胺的除外)，相对于感光化射线性或感放射线性树脂组合物的总质量，上述氧化胺(P)的含量为0.01ppm以上且1000ppm以下，上述酸扩散控制剂(D)相对于上述氧化胺(P)的质量比率大于1且为10000以下。
-
公开(公告)号：CN110494806A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201880024097.6
申请日：2018-05-11
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种作为掩模而能够适用于蚀刻时，能够形成耐龟裂性及耐蚀刻性优异的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。感光化射线性或感放射线性树脂组合物为含有树脂且固体成分浓度为10质量％以上的感光化射线性或感放射线性树脂组合物，上述树脂包含：以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元A；及具有酸分解性基的重复单元B，上述重复单元B的含量相对于树脂中的所有重复单元为20摩尔％以下，且上述树脂所具有的重复单元中的任一至少1种为具有芳香族环的重复单元。
-
-
公开(公告)号：CN111095105A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059342.7
申请日：2018-09-07
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、使用了感光化射线性或感放射线性的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，该感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有树脂(A)且用于形成膜厚为2μm以上的膜，上述树脂(A)包含具有酸性基团的重复单元及具有酸分解性基团的重复单元，上述具有酸性基团的重复单元的含量相对于上述树脂(A)中的所有重复单元为15摩尔％以上，上述具有酸分解性基团的重复单元的含量相对于上述树脂(A)中的所有重复单元大于20摩尔％，上述树脂(A)的玻璃化转变温度为145℃以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106104809B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201580011384.X
申请日：2015-02-26
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , C07F7/08 , H01L21/336 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/004 , C07F7/081 , C07F7/0812 , H01L51/0003 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0071 , H01L51/0073 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0516 , H01L51/0558 , H01L51/0562 , H01L51/0566
Abstract: 本发明提供一种有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法。本发明的有机薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、有机半导体层、栅极绝缘层、源极电极及漏极电极，有机半导体层含有有机半导体及嵌段共聚物，嵌段共聚物为选自苯乙烯‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物等特定的嵌段共聚物中的至少一种或发生相分离；具备含有相分离的嵌段共聚物的有机半导体的有机薄膜晶体管的制造方法中，涂布含有有机半导体及嵌段共聚物的涂布液并进行成膜，对所得的膜进行加热而使嵌段共聚物进行自组织化。
-
公开(公告)号：CN105378961B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480039238.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L51/30 , C08G61/12 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0036 , C07C49/697 , C07C2603/10 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G61/126 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/149 , C08G2261/18 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3242 , C08G2261/332 , C08G2261/3325 , C08G2261/342 , C08G2261/344 , C08G2261/364 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0007 , H01L51/0043 , H01L51/0545 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的目的在于提供一种使用了下述化合物的有机膜晶体管，该化合物在用于有机膜晶体管的半导体活性层中时的载流子迁移率高、在有机溶剂中具有高溶解性。本发明提供一种在半导体活性层中包含通式(1‑1)、(1‑2)或(101)所表示的化合物的有机膜晶体管(R1～R4为氢原子或取代基；Ar1～Ar2、Ar101、Ar102各自独立地表示杂亚芳基或亚芳基；V1、V2、V101为2价连接基团；m、p为0～6的整数；Cy为萘环或蒽环；n为2以上的整数；A为通式(101’)所表示的2价连接基团；RA1～RA6表示氢原子、取代基或者与通式(101)中的Ar101或Ar102键合的键，RA1～RA6中不同的2个基团表示与通式(101)中的Ar101键合的键和与Ar102键合的键)。
-
公开(公告)号：CN113260604B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201980086223.5
申请日：2019-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C07C43/10 , C07C43/11 , C07C43/13 , C07C43/20 , C07C47/04 , C07C47/06 , C07C47/12 , C07C47/14 , C07C47/21 , C07C69/16 , C07C205/44 , C07D335/02 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , C07D303/48 , C07D307/68
Abstract: 本发明提供一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法，所述感光化射线性或感放射线性树脂组合物含有作为由特定的通式(1)表示的化合物和由特定的通式(2)表示的化合物中的至少一个的化合物(P)，并且，相对于感光化射线性或感放射线性树脂组合物的总质量，上述化合物(P)的含量为1ppm以上且1000ppm以下，上述化合物(P)的分子量为500以下。
-
-
公开(公告)号：CN115700059A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038051.1
申请日：2021-05-28
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10K85/60 , H10K30/60 , C07D417/14 , C07D513/04 , C07D519/00
Abstract: 本发明提供一种灵敏度优异的光电转换元件、摄像元件、光传感器及化合物。本发明的光电转换元件依次具有导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，其中，上述光电转换膜包含由式(1)表示的化合物及色素。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.04 seconds)
