公开(公告)号：CN102770965A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180006683.6

申请日：2011-01-18

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 祐谷重德 ,  佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  垣内良藏 ,  村上直树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0323 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供模块型太阳能电池，其中将具有由化合物半导体构成的光吸收层的薄膜太阳能电池串联连接在单个基板上。所述基板包含由铁素体不锈钢构成的基底，形成在所述基底的至少一个表面上的铝层，以及通过阳极氧化所述铝层的表面获得的具有多孔结构的绝缘层。所述绝缘层在室温展现压缩应力。

公开(公告)号：CN103201846A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180051703.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小林宏之 ,  福永敏明 ,  村上直树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/541

Abstract: [问题]一种光电转换元件，包括光电转换层，且使密着性提高，所述光电转换层藉由蒸镀法而形成于包含过渡金属的导电层上。[解决方案]光电转换元件（1）于基板（10）上具有包含过渡金属元素的导电层（20）、包含化合物半导体的光电转换层（30）、以及透明电极（60）的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，光电转换元件（1）采用如下的构成，即，于导电层（20）与光电转换层（30）之间包括过渡金属二硫属化物薄膜（25），该过渡金属二硫属化物薄膜（25）包含过渡金属元素与VIb族元素。构成所述过渡金属二硫属化物薄膜（25）的多个微结晶（25a）中，c轴为大致垂直地形成于导电层（20）的表面的微结晶于形成有薄膜的导电层（20）的表面所占的比例设为80%以下。