公开(公告)号：CN103201846A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201180051703.1

申请日：2011-11-01

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小林宏之 ,  福永敏明 ,  村上直树

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/03923 ,  H01L31/022425 ,  Y02E10/541

Abstract: [问题]一种光电转换元件，包括光电转换层，且使密着性提高，所述光电转换层藉由蒸镀法而形成于包含过渡金属的导电层上。[解决方案]光电转换元件（1）于基板（10）上具有包含过渡金属元素的导电层（20）、包含化合物半导体的光电转换层（30）、以及透明电极（60）的积层构造，所述化合物半导体含有Ib族元素、IIIb族元素及VIb族元素，光电转换元件（1）采用如下的构成，即，于导电层（20）与光电转换层（30）之间包括过渡金属二硫属化物薄膜（25），该过渡金属二硫属化物薄膜（25）包含过渡金属元素与VIb族元素。构成所述过渡金属二硫属化物薄膜（25）的多个微结晶（25a）中，c轴为大致垂直地形成于导电层（20）的表面的微结晶于形成有薄膜的导电层（20）的表面所占的比例设为80%以下。

公开(公告)号：CN1384568A

公开(公告)日：2002-12-11

申请号：CN01118678.X

申请日：2001-06-07

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 福永敏明

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/30 ,  H01S5/00

Abstract: 半导体激光装置中,防止高输出驱动时端面发热,提高信赖性。在n－GaAs基板11上形成以下积层,即n－AlzlGal－zlAs下部金属包层12、n或i－In0.49Ga0.51P下部光导波层13、Inx3Gal－x3Asl－y3Py3量子井活性层14、P或i－In0.49Ga0.51P上部第一光导波层15、GaAs盖层16、SiO2膜17。从劈开面内侧上去除20μm宽的SiO2膜17。将该SiO2膜17作为掩蔽层,去除端面附近的GaAs盖层,P或i－In0.49Ga0.51P上部第一光导波层。接着去除SiO2膜17,去除端面附近的Inx3Gal－x3Asl－y3Py3量子井活性层14和残留的GaAs盖层16。在其上成长P或i－In0.49Ga0.51P上部第二光导波层18、p－AlzlGal－zlAs上部金属包层、p－GaAs接触层20。