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公开(公告)号:CN100559476C
公开(公告)日:2009-11-11
申请号:CN200410086640.5
申请日:2004-11-19
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
Abstract: 本发明涉及安装在各种磁记录设备上的垂直磁记录介质和制造该介质的方法。本发明的目的是通过增强信号输出和降低噪声来提高S/N(信号输出与噪声之比)。本发明的另一个目的是提供适合大规模生产的简单的制造方法,并且通过提高记录分辨率提供一种高记录密度的介质。在本发明的垂直磁记录介质中,在磁记录层中的每个磁性晶粒具有多层叠层结构,并且具有类似截锥形的构形,其中在最终阶段沉积在薄膜表面侧的最终层的晶粒的直径小于在初始阶段沉积在衬底侧的初始层的晶粒的直径。
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公开(公告)号:CN101162587A
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200710152990.0
申请日:2007-10-11
Applicant: 富士电机电子技术株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质,其中磁记录层中的取向分散降低,晶粒粒径减小,同时非磁性中间层的膜厚度减小,从而性能得到改善,例如噪声降低,S/N比例增加,写入能力提高。该垂直磁记录介质通过在非磁性基板上依次层加以下各层形成:软磁背衬层、第一底层、第一非磁性中间层、第二底层、第二非磁性中间层、磁记录层、保护膜和液体润滑层;所述第一底层包含具有fcc结构且至少包含Ni和Fe的软磁材料,所述第二底层包含具有fcc结构且至少包含Co的软磁材料。
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