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公开(公告)号：CN117836949A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202380013271.8
申请日：2023-03-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L21/322 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 提供一种半导体装置，具备：第一导电型的漂移区，其设置于具有正面和背面的半导体基板；以及第一导电型的缓冲区，其设置于比所述漂移区更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置，所述缓冲区具有包括掺杂浓度的一个或多个浓度峰的浓度峰组，所述浓度峰组包括第一浓度峰，所述第一浓度峰是在所述半导体基板的深度方向上，在所述一个或多个浓度峰中设置于最靠所述半导体基板的所述背面侧的浓度峰，所述半导体基板包括第一氢峰，所述第一氢峰示在所述半导体基板的深度方向上设置于与所述第一浓度峰的深度位置相同的位置或者比所述第一浓度峰的深度位置更靠所述半导体基板的所述背面侧的位置处的氢的原子密度的峰。
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公开(公告)号：CN115516642A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180030637.3
申请日：2021-11-11
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其设置有漂移区；以及缓冲区，其配置在漂移区与下表面之间，并且浓度比漂移区的浓度高，掺杂浓度分布具有最深斜坡，所述最深斜坡的掺杂浓度在从半导体基板的下表面朝向上表面的方向上单调地减小到与漂移区相接的位置，缓冲区中的氢化学浓度分布在设置有最深斜坡的第一深度范围内具备：第一减小部，其氢化学浓度朝向上表面侧减小；第二减小部，其位于比第一减小部更靠上表面侧的位置，并且氢化学浓度减小；以及中间部，其配置在第一减小部与第二减小部之间，中间部具有氢化学浓度分布均匀的平坦部、氢化学浓度的斜坡内峰、或者氢化学浓度的转折部。
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公开(公告)号：CN115443541A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202180030568.6
申请日：2021-11-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：缓冲区，其掺杂浓度比体施主浓度高；第一低浓度氢峰，其配置于缓冲区；第二低浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第一低浓度氢峰更靠近下表面的位置；高浓度氢峰，其在缓冲区配置在比第二低浓度氢峰更靠近下表面的位置，并且氢化学浓度比所述第二低浓度氢峰高；平坦区，其包括第一低浓度氢峰与第二低浓度氢峰之间的区域、以及设置有第二低浓度氢峰的区域，所述平坦区的掺杂浓度高于体施主浓度，并且掺杂浓度的平均值是第二低浓度氢峰与高浓度氢峰之间的掺杂浓度的极小值以下。
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公开(公告)号：CN118173462A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311376592.2
申请日：2023-10-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。根据半导体基板的碳浓度等初始特性，在半导体基板掺杂了杂质的情况下所形成的晶格缺陷的密度会发生波动。上述制造方法包括：获取示出形成掺杂区的工艺条件与掺杂区的缺陷评价值之间的关系的相关信息，在评价用基板以所设定的第一工艺条件形成掺杂区，获取形成掺杂区之后的评价用基板的缺陷评价值的测定值，获取在相关信息中与第一工艺条件对应的缺陷评价值作为参照值，将缺陷评价值的测定值与参照值进行比较，调整使用制造用基板来制造半导体装置的工序中的工艺条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118039477A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311284073.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L21/265 , H01L29/739 , H01L29/36
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置，所述半导体装置在半导体基板具备缓冲区，所述制造方法包括：获取与所述半导体基板中包含的氧化学浓度和碳化学浓度中的至少一个有关的基板浓度指标的步骤；将所述基板浓度指标分类到预定的多个指标范围中的某一个指标范围的步骤；关于向所述半导体基板注入的氢离子的加速能量，确定为与所述分类到的指标范围对应而预先设定的加速能量的步骤；以及通过以所述确定的加速能量向所述半导体基板注入氢离子，从而形成所述半导体装置的缓冲区的步骤。
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公开(公告)号：CN119452752A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380049578.3
申请日：2023-12-05
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备氧化学浓度为1×1016atoms/cm3以上的半导体基板的半导体装置，该半导体装置包含体施主和增加施主，具备掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的缓冲区，遍及从缓冲区的下端到最深峰为止的整个第一范围，热施主的浓度为同一深度位置处的增加施主的浓度的10%以下。
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公开(公告)号：CN119452751A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380049404.7
申请日：2023-12-05
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，所述半导体基板在深度方向上具有一个以上的作为氢化学浓度的峰的氢峰，一个以上的所述氢峰包括最远离所述半导体基板的所述下表面的最深峰，所述半导体基板具有：下侧区域，其是从所述下表面起直到所述最深峰为止的区域；以及上侧区域，其是从所述最深峰起配置到所述上表面为止的区域，对于碳化学浓度和氧化学浓度中的至少一者而言，所述下侧区域的浓度为所述上侧区域的浓度的2倍以上。
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公开(公告)号：CN119072789A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202380035915.3
申请日：2023-07-10
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间分布有体施主，并且设置有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备第一导电型的高浓度区，所述第一导电型的高浓度区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，并包含氢施主，并且载流子浓度比体施主浓度高，所述高浓度区具有第一部分，在所述第一部分中，从载流子浓度减去体施主浓度而得的氢施主浓度为7×1013/cm3以上且1.5×1014/cm3以下，在所述半导体基板的深度方向上，所述第一部分的长度为所述高浓度区的长度的50％以上。
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公开(公告)号：CN117561610A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202380012495.7
申请日：2023-01-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其缓冲区的掺杂浓度峰具有掺杂浓度呈现极大值的顶点、掺杂浓度从顶点朝向下表面单调地减小的下侧拖尾、以及掺杂浓度从顶点朝向上表面单调地减小的上侧拖尾，缓冲区的掺杂浓度峰中的至少一个掺杂浓度峰是平缓浓度峰，该平缓浓度峰是使上侧拖尾的斜率的绝对值除以下侧拖尾的斜率的绝对值而得的斜率比为0.1以上且3以下的浓度峰。
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