公开(公告)号：CN119452751A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202380049404.7

申请日：2023-12-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大岛佑介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  谷口竣太郎 ,  辻英德

IPC: H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D12/01 ,  H10D12/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，所述半导体基板在深度方向上具有一个以上的作为氢化学浓度的峰的氢峰，一个以上的所述氢峰包括最远离所述半导体基板的所述下表面的最深峰，所述半导体基板具有：下侧区域，其是从所述下表面起直到所述最深峰为止的区域；以及上侧区域，其是从所述最深峰起配置到所述上表面为止的区域，对于碳化学浓度和氧化学浓度中的至少一者而言，所述下侧区域的浓度为所述上侧区域的浓度的2倍以上。

公开(公告)号：CN119072789A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202380035915.3

申请日：2023-07-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 谷口竣太郎 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  大岛佑介 ,  辻英德

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备半导体基板，所述半导体基板具有上表面和下表面，在所述上表面与所述下表面之间分布有体施主，并且设置有第一导电型的漂移区，所述半导体装置具备第一导电型的高浓度区，所述第一导电型的高浓度区配置在所述漂移区与所述半导体基板的所述下表面之间，并包含氢施主，并且载流子浓度比体施主浓度高，所述高浓度区具有第一部分，在所述第一部分中，从载流子浓度减去体施主浓度而得的氢施主浓度为7×1013/cm3以上且1.5×1014/cm3以下，在所述半导体基板的深度方向上，所述第一部分的长度为所述高浓度区的长度的50％以上。

公开(公告)号：CN118173462A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202311376592.2

申请日：2023-10-23

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 大岛佑介 ,  吉村尚 ,  泷下博 ,  谷口竣太郎

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。根据半导体基板的碳浓度等初始特性，在半导体基板掺杂了杂质的情况下所形成的晶格缺陷的密度会发生波动。上述制造方法包括：获取示出形成掺杂区的工艺条件与掺杂区的缺陷评价值之间的关系的相关信息，在评价用基板以所设定的第一工艺条件形成掺杂区，获取形成掺杂区之后的评价用基板的缺陷评价值的测定值，获取在相关信息中与第一工艺条件对应的缺陷评价值作为参照值，将缺陷评价值的测定值与参照值进行比较，调整使用制造用基板来制造半导体装置的工序中的工艺条件。

公开(公告)号：CN118039477A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311284073.3

申请日：2023-09-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 泷下博 ,  大岛佑介 ,  吉村尚 ,  谷口竣太郎

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739 ,  H01L29/36

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法和半导体装置，所述半导体装置在半导体基板具备缓冲区，所述制造方法包括：获取与所述半导体基板中包含的氧化学浓度和碳化学浓度中的至少一个有关的基板浓度指标的步骤；将所述基板浓度指标分类到预定的多个指标范围中的某一个指标范围的步骤；关于向所述半导体基板注入的氢离子的加速能量，确定为与所述分类到的指标范围对应而预先设定的加速能量的步骤；以及通过以所述确定的加速能量向所述半导体基板注入氢离子，从而形成所述半导体装置的缓冲区的步骤。