公开(公告)号：CN107045995B

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN201611233526.X

申请日：2016-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 新村康 ,  宍户秀聪 ,  岛藤贵行 ,  新井利浩

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明容易地评价半导体元件的反馈电容。提供一种评价方法，该评价方法为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，具备：特性取得阶段，取得与反馈电容相关的第1特性和与反馈电容相关的第2特性；评价阶段，基于第1特性和第2特性评价反馈电容。第1特性可以为与半导体元件的耐压对应的特性，第2特性可以为半导体元件的导通电阻。在评价阶段中，可以基于第1特性和第2特性之比来评价反馈电容。

公开(公告)号：CN107045995A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201611233526.X

申请日：2016-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 新村康 ,  宍户秀聪 ,  岛藤贵行 ,  新井利浩

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L22/20 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2621 ,  H01L22/14 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/66666

Abstract: 本发明容易地评价半导体元件的反馈电容。提供一种评价方法，该评价方法为评价半导体元件的反馈电容的评价方法，具备：特性取得阶段，取得与反馈电容相关的第1特性和与反馈电容相关的第2特性；评价阶段，基于第1特性和第2特性评价反馈电容。第1特性可以为与半导体元件的耐压对应的特性，第2特性可以为半导体元件的导通电阻。在评价阶段中，可以基于第1特性和第2特性之比来评价反馈电容。