公开(公告)号：CN112509621A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011377385.5

申请日：2020-11-30

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  陈灿 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟 ,  赵强 ,  陈军宁

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种MOSFET‑TFET混合型11T SRAM单元电路，包括五个NTFET晶体管，四个PTFET晶体管，两个NMOSFET晶体管，其中：电源VDD和PTFET晶体管P3的源极电连接；PTFET晶体管P3的漏极与PFET晶体管P1的源极电连接；PTFET晶体管P2的漏极分别与NTFET晶体管N2的漏极、NMOSFET晶体管N4的漏极、PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N6的栅极电连接；NTFET晶体管N5的源极、NTFET晶体管N6的源极均与GND电连接。上述电路不仅增强了SRAM单元的写能力，而且降低了电路的静态功耗，提高了保持状态下SRAM单元的稳定性。