公开(公告)号：CN110767251B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201910984510.X

申请日：2019-10-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李正平 ,  陈朌盼 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟 ,  陈军宁

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种低功耗和高写裕度的11T TFET SRAM单元电路结构，包括九个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，九个NTFET晶体管依次记为N1～N9，两个PTFET晶体管依次记为P1和P2，VDD和NTFET晶体管N4的漏极连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N5的源极、NTFET晶体管N7的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N2栅极电连接。该电路结构不仅解决了传统TFET SRAM单元结构保持和读能力差的问题，而且提高了SRAM单元的稳定性。

公开(公告)号：CN110767251A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910984510.X

申请日：2019-10-16

Applicant: 安徽大学

Inventor： 李正平 ,  陈朌盼 ,  蔺智挺 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  卢文娟 ,  陈军宁

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种低功耗和高写裕度的11T TFET SRAM单元电路结构，包括九个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，九个NTFET晶体管依次记为N1～N9，两个PTFET晶体管依次记为P1和P2，VDD和NTFET晶体管N4的漏极连接，同时VDD也与PTFET晶体管P1及PTFET晶体管P2的源极电连接；PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N5的源极、NTFET晶体管N7的漏极、PTFET晶体管P2的栅极、NTFET晶体管N2栅极电连接。该电路结构不仅解决了传统TFET SRAM单元结构保持和读能力差的问题，而且提高了SRAM单元的稳定性。