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公开(公告)号:CN118171621A
公开(公告)日:2024-06-11
申请号:CN202410593517.X
申请日:2024-05-14
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F30/367 , H03K19/00 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及基于极性加固的双节点翻转自恢复的锁存器电路、模块。本发明包括上拉管部、下拉管部、信号反相器部、钟控反相器部、传输管部、传输门部。本发明的节点X1、X1b、X2、X2b形成N极性加固,节点X3、X3b形成P极性加固。本发明具备完全的SNU、DNU翻转自恢复能力,并有较低的延迟、较低的功耗、较低的功耗延迟积和较大的临界电荷。本发明的晶体管数量较少,面积开销也较低。本发明解决了现有双节点自恢复的锁存器电路设计存在面积和功耗较大、临界电荷较小的问题。
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公开(公告)号:CN118138013A
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202410249381.0
申请日:2024-03-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于集成电路器领域,具体涉及一种源隔离与极性加固的抗双节点翻转自恢复的锁存器、模块及芯片。该锁存器包括锁存电路、反相电路和传输电路部分。反相电路用于生成时钟信号CLK的反相信号NCK及存储数据D的反相值DN。传输电路用于根据时钟信号调整锁存器的工作模式,并向存储节点输入数据。其中,锁存电路由9个PMOS晶体管P1~P9和9个NMOS晶体管N1~N9构成。形成6个存储节点:S0~S5;其中,S0、S3均被NMOS晶体管包围,形成极性加固;P1、P5和P9,P2和P6,P3和P7,P4和P8形成源隔离加固。该方案解决了现有的锁存器难以在抗节点翻转能力、功耗、面积开销、延迟指标达到较佳匹配的问题。
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公开(公告)号:CN118171621B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202410593517.X
申请日:2024-05-14
Applicant: 安徽大学
IPC: G06F30/367 , H03K19/00 , H03K19/20
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域,更具体的,涉及基于极性加固的双节点翻转自恢复的锁存器电路、模块。本发明包括上拉管部、下拉管部、信号反相器部、钟控反相器部、传输管部、传输门部。本发明的节点X1、X1b、X2、X2b形成N极性加固,节点X3、X3b形成P极性加固。本发明具备完全的SNU、DNU翻转自恢复能力,并有较低的延迟、较低的功耗、较低的功耗延迟积和较大的临界电荷。本发明的晶体管数量较少,面积开销也较低。本发明解决了现有双节点自恢复的锁存器电路设计存在面积和功耗较大、临界电荷较小的问题。
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