源隔离与极性加固的抗双节点翻转自恢复的锁存器、芯片

    公开(公告)号:CN118138013A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410249381.0

    申请日:2024-03-05

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明属于集成电路器领域,具体涉及一种源隔离与极性加固的抗双节点翻转自恢复的锁存器、模块及芯片。该锁存器包括锁存电路、反相电路和传输电路部分。反相电路用于生成时钟信号CLK的反相信号NCK及存储数据D的反相值DN。传输电路用于根据时钟信号调整锁存器的工作模式,并向存储节点输入数据。其中,锁存电路由9个PMOS晶体管P1~P9和9个NMOS晶体管N1~N9构成。形成6个存储节点:S0~S5;其中,S0、S3均被NMOS晶体管包围,形成极性加固;P1、P5和P9,P2和P6,P3和P7,P4和P8形成源隔离加固。该方案解决了现有的锁存器难以在抗节点翻转能力、功耗、面积开销、延迟指标达到较佳匹配的问题。

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