-
公开(公告)号：CN104860303B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201510216602.5
申请日：2015-04-27
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B32/184 , C01G49/08 , C01B19/00 , C01G9/08 , C01B33/12 , C09K11/02 , C09K11/88 , H01F1/01 , B82Y30/00
Abstract: 一种还原氧化石墨烯/四氧化三铁/CdSeTe@ZnS@SiO2纳米复合物的制备方法，包括下列步骤：将60～150mg氧化石墨烯加入到乙二醇中，超声15～60min得到分散均匀的悬浮液；加入0.5～1g氯化铁，搅拌10～30min使其溶解；再加入1.50～2.00g醋酸钠，搅拌30～90min使其溶解；将上述混合物转移到聚四氟乙烯反应釜中在160～180℃反应6～24h，用去离子水和乙醇各洗涤三次，60℃真空干燥，获得还原氧化石墨烯/四氧化三铁纳米复合物。将上述产物分散到0.1～0.5％聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液中，超声30～60min，用去离子水洗三次后，再加入去离子水配成0.5mg/mL的溶液。将还原氧化石墨烯/四氧化三铁纳米复合物溶液与CdSeTe@ZnS@SiO2量子点按体积比1∶2～1∶5混合，振荡5～30min，再静置6～24h，获得还原氧化石墨烯/四氧化三铁/CdSeTe@ZnS@SiO2复合物溶液。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101526590A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200810020450.1
申请日：2008-03-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种纵向结构的巨磁阻传感器及其制备方法。传感器包括基片(1)和其上的绝缘层(2)、夹裹有三明治结构巨磁阻薄膜(4)，特别是巨磁阻薄膜(4)外套装有线圈(8)，线圈(8)和巨磁阻薄膜(4)均由外层绝缘柱(7)裹覆；方法为先后分别多次使用掩模、光刻或离子刻蚀、直流磁控溅射、射频磁控溅射或等离子增强化学气相淀积、半导体薄膜加工工艺于基片上进行刻制、溅射和生成出线圈金属环(5)、金属短棒(6)，金属环(5)、金属短棒(6)周期性排列构成巨磁阻薄膜(4)外置线圈，工作时，恒定电流从电流流入端I流入微线圈，从电流流出端II流出，从而为巨磁阻薄膜(4)提供高精度的偏置磁场，结合巨磁阻薄膜(4)相应度高的特点，利用上述原理制备的纵向结构的巨磁阻传感器具有高的精度和灵敏度，结构简单，易于工业化生产的特点。
-
公开(公告)号：CN104860303A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510216602.5
申请日：2015-04-27
Applicant: 安徽大学
IPC: C01B31/04 , C01G49/08 , C01B19/00 , C01G9/08 , C01B33/12 , C09K11/02 , C09K11/88 , H01F1/01 , B82Y30/00
Abstract: 一种还原氧化石墨烯/四氧化三铁/CdSeTe@ZnS@SiO2纳米复合物的制备方法，包括下列步骤：将60～150mg氧化石墨烯加入到乙二醇中，超声15～60min得到分散均匀的悬浮液；加入0.5～1g氯化铁，搅拌10～30min使其溶解；再加入1.50～2.00g醋酸钠，搅拌30～90min使其溶解；将上述混合物转移到聚四氟乙烯反应釜中在160～180℃反应6～24h，用去离子水和乙醇各洗涤三次，60℃真空干燥，获得还原氧化石墨烯/四氧化三铁纳米复合物。将上述产物分散到0.1～0.5％聚二烯丙基二甲基氯化铵溶液中，超声30～60min，用去离子水洗三次后，再加入去离子水配成0.5mg/mL的溶液。将还原氧化石墨烯/四氧化三铁纳米复合物溶液与CdSeTe@ZnS@SiO2量子点按体积比1∶2～1∶5混合，振荡5～30min，再静置6～24h，获得还原氧化石墨烯/四氧化三铁/CdSeTe@ZnS@SiO2复合物溶液。
-
公开(公告)号：CN101349735A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810022214.3
申请日：2008-06-25
Applicant: 安徽大学
Inventor： 王莹
Abstract: 本发明涉及一种宽禁带半导体材料中深能级中心光离化截面的测试方法，该方法建立了计算光离化截面的公式和测试步骤，通过综合考虑GaN材料中深能级中心与入射光子相互作用同时存在载流子发射和俘获的基础上，给出了一种基于光电流分析的深能级中心光离化截面的新测试思路，即，在保证光电流变化为恒定的情况下，深能级中心的光离化截面与入射光强度成反比。并给出了一种基于PID技术的深能级中心测试方法。本发明操作方便、测试误差小、适用性强，可推广应用于宽禁带半导体材料和器件中深能级中心光离化截面的测试。
-
公开(公告)号：CN101349735B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810022214.3
申请日：2008-06-25
Applicant: 安徽大学
Inventor： 王莹
Abstract: 本发明涉及一种宽禁带半导体材料中深能级中心光离化截面的测试方法，该方法建立了计算光离化截面的公式和测试步骤，通过综合考虑GaN材料中深能级中心与入射光子相互作用同时存在载流子发射和俘获的基础上，给出了一种基于光电流分析的深能级中心光离化截面的新测试思路，即，在保证光电流变化为恒定的情况下，深能级中心的光离化截面与入射光强度成反比，并给出了一种基于PID技术的深能级中心测试方法。本发明操作方便、测试误差小、适用性强，可推广应用于宽禁带半导体材料和器件中深能级中心光离化截面的测试。
-
公开(公告)号：CN202033467U
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201120068470.3
申请日：2011-03-16
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本实用新型涉及一种纵向结构的巨磁阻磁传感器，包括基片，所述基片的表层为绝缘层，所述基片上纵向设置铁磁体，所述铁磁体为金属合金巨磁阻抗三明治结构体，即铁磁体层/导电层/铁磁体层，或是铁磁体层/绝缘层/导电层/绝缘层/铁磁体层的多层薄膜结构，其中铁磁体层至少为两层，每两层铁磁体中夹裹有导电层；所述金属合金巨磁阻抗三明治结构体外置偏置线圈。本实用新型采用与半导体器件工艺相兼容的技术制作金属合金巨磁阻抗三明治结构体，制备具有偏转磁场的巨磁阻磁传感器，其具有低功耗，高的弱磁场探测灵敏度，响应速度快，尺寸小，可靠性高，适合电路集成等特点。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.017 seconds)
