公开(公告)号：CN108231100B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201810252339.9

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。

公开(公告)号：CN109559767A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811448684.6

申请日：2018-11-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 黎轩 ,  王永俊 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  刘浩 ,  王进凯

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种采用两个灵敏放大器技术抵抗位线泄漏电流的电路结构，能够有效的抵抗由于位线泄漏电流引起的SRAM读取效率的降低和读失败，增强SRAM的稳定性同时降低了读延迟，提高了SRAM的读取速度。相比于现有技术中的SA电路，本方案提供的电路结构拥有更加稳定的性能，读数据所需要的时间在不同的位线泄漏电流下，变化不是很大，有很好的稳定性；并且在读取数据的时间上相比于现有技术中的SA电路，抗泄漏电流能力提高了412.8％，读取时间减少了290％。

公开(公告)号：CN109559767B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201811448684.6

申请日：2018-11-28

Applicant: 安徽大学

Inventor： 黎轩 ,  王永俊 ,  彭春雨 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  刘浩 ,  王进凯

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/412 ,  G11C11/419

Abstract: 本发明公开了一种采用两个灵敏放大器技术抵抗位线泄漏电流的电路结构，能够有效的抵抗由于位线泄漏电流引起的SRAM读取效率的降低和读失败，增强SRAM的稳定性同时降低了读延迟，提高了SRAM的读取速度。相比于现有技术中的SA电路，本方案提供的电路结构拥有更加稳定的性能，读数据所需要的时间在不同的位线泄漏电流下，变化不是很大，有很好的稳定性；并且在读取数据的时间上相比于现有技术中的SA电路，抗泄漏电流能力提高了412.8％，读取时间减少了290％。

公开(公告)号：CN108231100A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201810252339.9

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本发明公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。

公开(公告)号：CN207833929U

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201820411822.2

申请日：2018-03-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  孔令雨 ,  卢文娟 ,  王永俊 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  高珊 ,  陈军宁

IPC: G11C7/06

Abstract: 本实用新型公开了一种失调电压自适应数字校准型灵敏放大器，是一种可以有效降低失调电压的灵敏放大器电路结构，该结构利用简单的外围电路实现灵敏放大器失调电压的校准补偿以及补偿状态锁存操作，达到了大幅度降低失调电压的目的；同时由于失调电压的降低，有效的提升了静态随机存储器读取电路的设计裕度，进而降低了单元读取时产生的功耗消耗，并提升了静态随机存储器的数据读取速度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利