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公开(公告)号：CN110189780A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910355122.5
申请日：2019-04-29
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种隧穿场效应晶体管静态随机存储器单元的电路结构，包括8个N型隧穿场效应晶体管(NTFET)和4个P型隧穿场效应晶体管(PTFET)，在工作电压下为0.6V时，该结构通过读写分离结构增强了TFET SRAM的读能力，通过采用写辅助管提高写能力并降低了写功耗，又消除了TFET做SRAM传输管时出现的反向偏置电流问题，从而降低电路的静态功耗提高了电路的稳定性。
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