公开(公告)号：CN111883191B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202010677211.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  朱知勇 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  卢文娟 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种基于10T SRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路，10T SRAM单元配置两个解耦合读端口以及横纵双向字线，利用提出的10T SRAM解耦合独立端口进行存内计算和数据读取，保证了存储数据的独立性，提高了单元抗干扰能力。并且结构表现出很好的对称性特点，使存内逻辑运算和BCAM搜索可以实现横纵双向操作的优势。

公开(公告)号：CN111883191A

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN202010677211.4

申请日：2020-07-14

Applicant: 安徽大学

Inventor： 蔺智挺 ,  朱知勇 ,  吴秀龙 ,  彭春雨 ,  卢文娟 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: G11C11/40 ,  G11C16/06

Abstract: 本发明公开了一种基于10T SRAM单元的存内逻辑运算及BCAM电路，10T SRAM单元配置两个解耦合读端口以及横纵双向字线，利用提出的10T SRAM解耦合独立端口进行存内计算和数据读取，保证了存储数据的独立性，提高了单元抗干扰能力。并且结构表现出很好的对称性特点，使存内逻辑运算和BCAM搜索可以实现横纵双向操作的优势。