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公开(公告)号：CN106390974A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610821480.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: B01J23/02 , B01J35/004 , C02F1/30 , C02F2101/36 , C02F2101/38 , C02F2101/40 , C02F2305/10
Abstract: 一种高效光催化剂SrTiO3的制备方法，涉及功能材料领域，通过有机金属锶盐和有机金属钛盐采用热分解法制成钛酸锶前驱体，再经过煅烧得到高效光催化剂SrTiO3。将乙酰丙酮锶、钛酸异丙酯和有机溶剂混合，于30～40℃下搅拌使其完全溶解；升温至80～160℃，然后恒温搅拌1～2小时；再将温度提高20℃，然后恒温搅拌4～8小时，制成钛酸锶前驱体；将钛酸锶前驱体洗涤，然后离心、烘干得粉体；将粉体于300～900℃下煅烧1～3小时，得到SrTiO3。本发明选用的原料安全易得，工艺步骤简单，无污染，对设备要求低。制得的钛酸锶高效光催化剂能够有效降解亚甲基蓝溶液，具有较高的光催化活性，可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN106390974B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610821480.7
申请日：2016-09-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 一种高效光催化剂SrTiO3的制备方法，涉及功能材料领域，通过有机金属锶盐和有机金属钛盐采用热分解法制成钛酸锶前驱体，再经过煅烧得到高效光催化剂SrTiO3。将乙酰丙酮锶、钛酸异丙酯和有机溶剂混合，于30～40℃下搅拌使其完全溶解；升温至80～160℃，然后恒温搅拌1～2小时；再将温度提高20℃，然后恒温搅拌4～8小时，制成钛酸锶前驱体；将钛酸锶前驱体洗涤，然后离心、烘干得粉体；将粉体于300～900℃下煅烧1～3小时，得到SrTiO3。本发明选用的原料安全易得，工艺步骤简单，无污染，对设备要求低。制得的钛酸锶高效光催化剂能够有效降解亚甲基蓝溶液，具有较高的光催化活性，可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN105727927B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201610187038.3
申请日：2016-03-27
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明属于功能材料领域，具体是涉及一种双螯合剂溶胶‑凝胶法制备网状高效光催化剂BiVO4的方法。首先将柠檬酸分别与五水硝酸铋、偏钒酸铵混合形成前驱液A和B；接着将A和B混合形成混合溶液C；再将乙二胺四乙酸分两次加入混合溶液C中，调节体系pH值形成澄清透明BiVO4凝胶；最后经过陈化、干燥煅烧，即得网状的单斜白钨矿相BiVO4催化剂。制备方法工艺简单易控，无污染，对设备要求低。制备的网状单斜白钨矿相BiVO4能够有效降解亚甲基蓝，具有较佳的光催化活性，同时网状结构的多网孔特点利于形成很大的扩散通道，在使用过程中可以抑制被降解物对孔道的堵塞，避免了催化剂的失活，可以多次重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105984902A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610093497.5
申请日：2016-02-19
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: C01G39/00 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2004/16 , C01P2004/52 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C01P2006/60
Abstract: 本发明公开了一种可掺杂的钼酸锶纳米材料制备方法，由有机金属锶盐和有机金属钼盐在高纯氮气保护气氛下，在60℃～180℃下反应6～8小时，得到纯相钼酸锶。本发明可掺杂的钼酸锶纳米材料比常规方法制备的钼酸锶具有极小的晶粒尺寸及较小的禁带宽度,具有良好的电催化活性，大大提高了光催化性能，且制备工艺简单，适用于对量子点的研究推演，也适用于小尺寸纳米尺寸下的钼酸锶理论研究与应用。实验证明，本发明具有1～5nm大小的粒子尺寸结构或1nm宽度的纳米线结构，并且禁带宽度降低了0.2～1eV，禁带宽度为2.6～3.6eV,更好地提升了光催化剂的性能。
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公开(公告)号：CN112259143B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011200576.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明公开了一种读写分离的14T抗辐照SRAM存储单元电路结构，包括十个NMOS晶体管和四个PMOS晶体管，依次记为N1～N10，和P1～P4，PMOS晶体管P1和P2作为上拉管，外围存储节点由S1和S0控制，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3与N4作为下拉管，外围节点由NMOS晶体管N5和N6交叉耦合；NMOS晶体管N1与N2作为上拉管，外围存储节点S0和S1通过控制NMOS晶体管N3与N4对内部节点Q与QB进行加固，外围节点全部由NMOS晶体管包围，这种结构称为极性加固结构。该电路结构能有效优化单元稳定性，改善单元的读写能力，并提高存储单元的抗单粒子和多粒子翻转的能力。
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公开(公告)号：CN112259143A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011200576.4
申请日：2020-10-30
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明公开了一种读写分离的14T抗辐照SRAM存储单元电路结构，包括十个NMOS晶体管和四个PMOS晶体管，依次记为N1～N10，和P1～P4，PMOS晶体管P1和P2作为上拉管，外围存储节点由S1和S0控制，PMOS晶体管P3和P4交叉耦合；NMOS晶体管N3与N4作为下拉管，外围节点由NMOS晶体管N5和N6交叉耦合；NMOS晶体管N1与N2作为上拉管，外围存储节点S0和S1通过控制NMOS晶体管N3与N4对内部节点Q与QB进行加固，外围节点全部由NMOS晶体管包围，这种结构称为极性加固结构。该电路结构能有效优化单元稳定性，改善单元的读写能力，并提高存储单元的抗单粒子和多粒子翻转的能力。
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公开(公告)号：CN105727927A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610187038.3
申请日：2016-03-27
Applicant: 安徽大学
CPC classification number: B01J23/22 , B01J35/004 , B01J35/04 , B01J37/036
Abstract: 本发明属于功能材料领域，具体是涉及一种双螯合剂溶胶?凝胶法制备网状高效光催化剂BiVO4的方法。首先将柠檬酸分别与五水硝酸铋、偏钒酸铵混合形成前驱液A和B；接着将A和B混合形成混合溶液C；再将乙二胺四乙酸分两次加入混合溶液C中，调节体系pH值形成澄清透明BiVO4凝胶；最后经过陈化、干燥煅烧，即得网状的单斜白钨矿相BiVO4催化剂。制备方法工艺简单易控，无污染，对设备要求低。制备的网状单斜白钨矿相BiVO4能够有效降解亚甲基蓝，具有较佳的光催化活性，同时网状结构的多网孔特点利于形成很大的扩散通道，在使用过程中可以抑制被降解物对孔道的堵塞，避免了催化剂的失活，可以多次重复使用。
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公开(公告)号：CN105984902B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610093497.5
申请日：2016-02-19
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种可掺杂的钼酸锶纳米材料制备方法，由有机金属锶盐和有机金属钼盐在高纯氮气保护气氛下，在60℃～180℃下反应6～8小时，得到纯相钼酸锶。本发明可掺杂的钼酸锶纳米材料比常规方法制备的钼酸锶具有极小的晶粒尺寸及较小的禁带宽度,具有良好的电催化活性，大大提高了光催化性能，且制备工艺简单，适用于对量子点的研究推演，也适用于小尺寸纳米尺寸下的钼酸锶理论研究与应用。实验证明，本发明具有1～5nm大小的粒子尺寸结构或1nm宽度的纳米线结构，并且禁带宽度降低了0.2～1eV，禁带宽度为2.6～3.6eV,更好地提升了光催化剂的性能。
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