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公开(公告)号：CN110675905A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910808519.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/412 , G11C11/419
Abstract: 本发明公开了一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，包括十个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，十个NTFET晶体管依次记为N1～N10，两个PTFET晶体管分别记为P1、P2，电源VDD与NTFET晶体管N7及NTFET晶体管N8的漏极电连接；PTFET晶体管P1的漏极与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N4的栅极、NTFET晶体管N5的漏极、NTFET晶体管N7的栅极以及PTFET晶体管P2的栅极电连接。该电路结构在不改变外部读写控制电路的情况下，提高了传统TFET SRAM单元结构的读、写和保持能力，提高了SRAM单元的稳定性。
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