公开(公告)号：CN114464470A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210007647.1

申请日：2022-01-06

Applicant: 宁波工程学院

Inventor： 高凤梅 ,  李维俊 ,  王瑞莹 ,  李侃 ,  杨为佑

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/26 ,  H01G11/30 ,  H01G11/32 ,  H01G11/48 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用，属于能源制造技术领域。本发明公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列。本发明还公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列及其在超级电容器中应用。

公开(公告)号：CN115083791A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210606230.7

申请日：2022-05-31

Applicant: 宁波工程学院 ,  江苏尚今光电科技有限公司

Inventor： 高凤梅 ,  王瑞莹 ,  李维俊 ,  李侃 ,  杨为佑

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/34 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明涉及一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列及其制备方法与应用，属于超级电容器技术领域。本发明公开了一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列，所述核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列的相成分为单晶3C‑SiC和非晶SiO，且SiO中碳含量为1‑5at％，硅含量为40‑48at％，氧含量为50‑55at％。