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公开(公告)号：CN114530601A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111648413.7
申请日：2021-12-30
Applicant: 宁波工程学院
IPC: H01M4/62 , H01M4/587 , H01M4/133 , H01M10/054 , H01M10/058
Abstract: 本发明属于储能材料技术领域，具体涉及一种硼掺杂多孔碳材料的制备方法及其在钾离子电池中的应用。以水溶性有机酸为碳源化合物，结合致孔剂进行硼掺杂，经过冷冻干燥和高温煅烧制备出有丰富孔结构的硼掺杂多孔碳材料，应用于钾离子电池负极材料时，可以加快充放电过程中离子和电子的传输速率，同时缓解钾离子嵌入和脱出带来的体积变化，有效提升电池的电化学性能。
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公开(公告)号：CN115020114B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210605950.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线复合材料。
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公开(公告)号：CN115083791A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210606230.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列及其制备方法与应用，属于超级电容器技术领域。本发明公开了一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列，所述核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列的相成分为单晶3C‑SiC和非晶SiO，且SiO中碳含量为1‑5at％，硅含量为40‑48at％，氧含量为50‑55at％。
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公开(公告)号：CN115036143A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210605961.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种一体化的Zn纳米片电极材料及其制备方法与应用，属于超级电容器技术领域。本发明公开了一种一体化的Zn纳米片电极材料，所述Zn纳米片电极材料由Zn箔基底以及沉积在Zn箔基底上的Zn纳米片组成，通过在1‑5M ZnCl2中沉积Zn纳米片。本发明也公开了一种一体化的Zn纳米片电极材料制备方法，所述的制备方法包括：将清洗后的Zn箔作为负极，在电解液1中组成对称式两电极系统，在80‑120mV/s的扫速下，循环N次后在Zn箔表面覆盖Zn纳米片制得Zn纳米片电极材料。
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公开(公告)号：CN112614705B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011209541.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，包括以下步骤：将生长在碳纤维布上的三棱柱状氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中，加热腐蚀反应，冷却后，水洗、干燥得生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线。本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，实现了锯齿状氮掺杂SiC纳米线的简单制备，增加了电化学活性反应位点，提高比电容和高温服役循环寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112614699A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011209525.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器，所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，并将生长有锯齿状氮掺杂SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述锯齿状氮掺杂SiC纳米线基超级电容器能够在150℃温度下持续稳定工作，远高于目前大多数超级电容器使用温度，表现出优异的高温电化学性能。
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公开(公告)号：CN115020114A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210605950.1
申请日：2022-05-31
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列及其制备方法与应用，属于纳米材料技术领域。本发明公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列，所述SiC@C纳米线准阵列中SiC的相组成为3C‑SiC，壳层的C为PEDOT层经冷冻干燥、碳化后的掺杂硫元素的碳材料。本发明还公开了一种核壳结构的SiC@C纳米线准阵列的制备方法，所述的制备方法包括：将预处理后的碳布覆盖在盛有聚硅氮烷、三聚氰胺粉末的坩埚口，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC准阵列的碳布；将沉积SiC纳米线的碳布置于反应真空室，将汽态的EDOT诱导进入反应真空室，汽态的FeCl3引入反应真空室后沉积得SiC@PEDOT纳米线准阵列，清洗后经冷冻干燥、碳化得硫掺杂的SiC@C纳米线复合材料。
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公开(公告)号：CN112614699B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011209525.8
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种锯齿状氮掺杂SiC纳米线基高温超级电容器，所述超级电容器包括正负电极、隔膜和电解液，并将生长有锯齿状氮掺杂SiC纳米线的碳纤维布作为正负电极。所述锯齿状氮掺杂SiC纳米线基超级电容器能够在150℃温度下持续稳定工作，远高于目前大多数超级电容器使用温度，表现出优异的高温电化学性能。
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公开(公告)号：CN114464470A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210007647.1
申请日：2022-01-06
Applicant: 宁波工程学院
Abstract: 本发明涉及一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用，属于能源制造技术领域。本发明公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列。本发明还公开了一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列及其在超级电容器中应用。
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公开(公告)号：CN112614705A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011209541.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 宁波工程学院 , 江苏尚今光电科技有限公司
Abstract: 本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，包括以下步骤：将生长在碳纤维布上的三棱柱状氮掺杂SiC纳米线置于氢氟酸和硝酸的混合溶液中，加热腐蚀反应，冷却后，水洗、干燥得生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线。本发明提供的一种生长在碳纤维布上的锯齿状氮掺杂SiC纳米线的制备方法，实现了锯齿状氮掺杂SiC纳米线的简单制备，增加了电化学活性反应位点，提高比电容和高温服役循环寿命。
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