-
公开(公告)号：CN108358635B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810033835.5
申请日：2018-01-15
Applicant: 宁波大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种磁光氧化钬透明陶瓷的制备方法，其配置硝酸钬溶液和氟化铵溶液；将氨水逐滴滴加到硝酸钬溶液中，并陈化获得白色沉淀；对白色沉淀进行过滤洗涤，再将过滤洗涤后的白色沉淀加入到氟化铵溶液中反应，获得含有氟离子基团的稀土钬基层状化合物前驱体；对含有氟离子基团的稀土钬基层状化合物前驱体依次进行洗涤、干燥、研磨及过筛处理，再进行煅烧获得氧化钬纳米粉末；对氧化钬纳米粉末依次进行预压及冷等静压成型，然后对冷等静压成型后得到的成型物进行高温无压烧结，再对高温无压烧结后得到的烧结物进行机械加工获得氧化钬透明陶瓷；优点是其避免了氟化物添加剂的分布不均匀问题的产生，且制备出的氧化钬透明陶瓷的光学性能好。
-
公开(公告)号：CN108760831A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810270977.3
申请日：2018-03-29
Applicant: 宁波大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 一种氧化铟气敏元件的制备方法，将In(NO3)3·4.5H2O和(NH4)2SO4固体，溶于醇‑水溶液中，得到混合溶液，将混合溶液在室温至90℃的温度下反应生成白色沉淀；将白色沉淀洗涤、干燥并煅烧，得到氧化铟粉末；将氧化铟粉末和松油醇混合后在玛瑙研钵中充分研磨形成均匀的印刷浆料，用丝网印刷机将印刷浆料印刷到附有金叉指电极的陶瓷基片上，并在电极的两端引出铂丝导线制成气敏元件，置于马弗炉中高温预处理，得到产品。优点是：氧化铟气敏材料的制备工艺简单、成本低且对环境无污染，其形貌可控，通过控制氧化铟的形貌，来实现其对NO2气体的灵敏度控制，制备的气敏传感器可以检测浓度较低的NO2气体。
-
-
公开(公告)号：CN100489162C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200310109765.0
申请日：2003-12-30
Applicant: 宁波大学
Inventor： 陈红兵
Abstract: 本发明公开了声光晶体钼酸铅的坩埚下降法生长新工艺，该技术属于单晶生长领域。按照PbO∶MoO3＝1∶1的摩尔比配料，采用壁厚0.1～0.3毫米的铂坩埚盛装籽晶和原料，将坩埚密封后置于晶体生长炉中，控制炉温于1120～1200℃，调节坩埚位置使原料和籽晶顶部熔化，形成温度梯度为20～40℃/厘米的稳定固液界面，然后以小于1毫米/小时的速率进行坩埚下降生长，所生长晶体再经800℃下退火处理，即可生长出优质完整的圆柱或棱柱形钼酸铅单晶，且单台生长炉每次可获得2-20根单晶。该工艺避免了该晶体生长固有的熔体挥发，能够适用于批量生长不同形状和尺寸的钼酸铅单晶，并具有设备简单、操作方便的优点。
-
公开(公告)号：CN1932087A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510099343.9
申请日：2005-09-14
Abstract: 本发明公开了新型闪烁晶体LaCl3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaCl3·7H2O和CeCl3·7H2O为初始原料，通过氯化焙烧脱水处理以制备无水氯化物LaCl3和CeCl3；按照适当CeCl3掺杂浓度制备LaCl3:Ce3+配合料，并掺入少量活性炭粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于920～980℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaCl3:Ce3+单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaCl3:Ce3+单晶。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108531988A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810436170.2
申请日：2018-05-09
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种稀土卤化物闪烁晶体的制备方法与应用，该制备方法先按照待制备的稀土卤化物闪烁晶体在晶体生长时的组成化学式Cs2Li1+yLa1-xCexCl6称量各原料；然后在充满惰性气体的环境中，将各原料研磨成粉末，并混合均匀；接着将混合均匀得到的混合粉末原料置入石英坩埚中，抽真空并密封；再采用坩埚下降法制备稀土卤化物闪烁晶体；优点是制备得到的闪烁晶体为高质量透明的CLLC闪烁晶体，且光产额高、能量分辨率佳、中子-伽马甄别性能好。
-
公开(公告)号：CN106588013A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610951703.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 宁波大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/50 , C04B35/626 , C04B2235/656 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/9653
Abstract: 本发明公开了一种氧化镝透明陶瓷的制备方法，其先将氨水逐滴滴加到硝酸镝溶液中，在滴定结束后陈化得到白色沉淀；然后将过滤洗涤后的白色沉淀加入到萘酚黄硫溶液中反应，获得含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体；接着对含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体依次进行洗涤、干燥、研磨及过筛，再煅烧获得氧化镝纳米粉末；最后对氧化镝纳米粉末依次进行预压、冷等静压成型、高温无压烧结及机械加工获得氧化镝透明陶瓷；本发明方法的优点是获得的氧化镝纳米粉末具有较高的烧结活性且未产生严重的团聚现象，不仅可通过无压烧结技术制备出氧化镝透明陶瓷，而且可制备出高透过率的氧化镝透明陶瓷。
-
公开(公告)号：CN101333683B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200710126779.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称：CVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV2O5，属于正交晶系，空间群为Ima2，单胞参数为：α＝β＝γ＝90.000，晶体的颜色为黄色，不溶于水。用分析纯Cs2CO3和V2O5为原料，按按摩尔比为1∶2~1∶1.5称量，经研磨混合后置于铂金坩埚中，加热至500℃，即得到钒酸铯。晶体是同成分融化的，可用提拉法或下降法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。
-
公开(公告)号：CN101333683A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200710126779.1
申请日：2007-06-29
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称：CVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV2O5，属于正交晶系，空间群为Ima2，单胞参数为：a＝9.7169，b＝5.6564，c＝10.4462，α＝β＝γ＝90.000， V＝574.15(20)3。晶体的颜色为黄色，不溶于水。用分析纯Cs2CO3和V2O5为原料，按按摩尔比为1∶2～1∶1.5称量，经研磨混合后置于铂金坩埚中，加热至500℃，即得到钒酸铯。晶体是同成分融化的，可用提拉法或下降法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.017 seconds)
