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公开(公告)号：CN119553367B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202510112983.6
申请日：2025-01-24
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与应用，硅酸镓铌钽钙压电晶体材料属于三方晶系，空间群为P321，化学式为Ca3(Nb0.2Ta0.8)Ga3Si2O14，室温下相对介电常数#imgabs0#大于18，相对介电常数#imgabs1#大于24.6，压电常数d11大于4.2pC/N，600℃下机电耦合系数k12大于12.90%，800℃下电阻率大于2.2×107Ω·cm，使得硅酸镓铌钽钙压电晶体可以作为高温传感领域中一种具有广阔应用前景的压电晶体材料。
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公开(公告)号：CN110408993B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910693206.X
申请日：2019-07-17
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种用于X射线探测的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体的制备方法，其包括以下步骤：将溴化铯、乙酸钠、溴化铋、溴化银四种原料按照物质的量之比为(1.8～0.6)∶(0.2～1.4)∶1∶1混合，得到混合物；向混合物中加入氢溴酸溶液得到生长原料；再将生长原料置于一个玻璃瓶中，并进行良好密封；将装有生长原料的玻璃瓶置于可控温容器中，在120℃～130℃温度下对生长原料进行加热，直至生成透明的亮黄色溶液；在生成透明的亮黄色溶液后，经过三次缓慢降温将120℃～130℃降温至常温，得到红色透明的Cs2AgBiBr6单晶；其中，在70℃～85℃温度下开始析晶；优点是解决了多核析晶，晶体尺寸较小的问题，且制备成本低。
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公开(公告)号：CN111454049B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010283097.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 宁波大学
IPC: H01L31/0264 , C04B35/01 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN108193274B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201711223821.1
申请日：2017-11-29
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种复式钨酸盐闪烁晶体及其制备方法，特点是该闪烁晶体化学结构式为CdGdxLa2‑x（WO4）4，其中x=0.2、0.4、0.6、0.8或者1.0，其制备方法具体步骤如下：1）将原料CdO、Gd2O3、La2O3和WO3原料置于马弗炉中去除水分，然后按照其化学式中的摩尔比进行称量，随后将粉末进行充分的研磨和压片，再转移到陶瓷坩埚里，在马弗炉中烧结，将烧结物重新研磨和压片再次烧结得到多晶料锭；2）采用单晶提拉炉，中频感应加热方式加热，N2为保护气氛，采用铂金丝进行自发成核；生长阶段控制拉速和晶体，生长结束后得到复式钨酸盐闪烁晶体，优点是高密度、快衰减的易于生长且具有良好发光性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109321978A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811186469.3
申请日：2018-10-12
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其包括以下步骤：制备晶体生长原料；利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体；优点是由于晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，因此生长得到的透明的钼酸钇钠单晶呈深蓝色；而后在氧气气氛下退火处理可有效消除透明的钼酸钇钠单晶的着色现象，并提高透明的钼酸钇钠单晶的光输出，可用于探测无中微子双贝塔衰变。
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公开(公告)号：CN107200345A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710163978.3
申请日：2017-03-20
Applicant: 宁波大学
IPC: C01G3/04
CPC classification number: C01G3/04 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种γ‑碘化亚铜的制备方法，特点是制备方法步骤如下：将碘单质溶于四氟硼酸盐和六氟磷酸盐离子液体中，封闭状态下控制加热温度80‑150℃，碘单质完全溶解，得到碘溶液；然后将打磨干净的铜片放入碘离子的溶液中，继续控制一定温度加热直到溶液的颜色近无色为止，冷却至室温，取出溶液底部沉淀，用去离子水、乙醇多次洗涤，真空干燥得到γ‑碘化亚铜，优点是碘的利用高、成本低，操作工艺简单、环保无污染，且产率和纯度高。
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公开(公告)号：CN111454049A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010283097.7
申请日：2020-04-01
Applicant: 宁波大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C6-NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA-C6-NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN107200345B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710163978.3
申请日：2017-03-20
Applicant: 宁波大学
IPC: C01G3/04
Abstract: 本发明公开了一种γ‑碘化亚铜的制备方法，特点是制备方法步骤如下：将碘单质溶于四氟硼酸盐和六氟磷酸盐离子液体中，封闭状态下控制加热温度80‑150℃，碘单质完全溶解，得到碘溶液；然后将打磨干净的铜片放入碘离子的溶液中，继续控制一定温度加热直到溶液的颜色近无色为止，冷却至室温，取出溶液底部沉淀，用去离子水、乙醇多次洗涤，真空干燥得到γ‑碘化亚铜，优点是碘的利用高、成本低，操作工艺简单、环保无污染，且产率和纯度高。
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公开(公告)号：CN106588013B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610951703.1
申请日：2016-10-27
Applicant: 宁波大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种氧化镝透明陶瓷的制备方法，其先将氨水逐滴滴加到硝酸镝溶液中，在滴定结束后陈化得到白色沉淀；然后将过滤洗涤后的白色沉淀加入到萘酚黄硫溶液中反应，获得含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体；接着对含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体依次进行洗涤、干燥、研磨及过筛，再煅烧获得氧化镝纳米粉末；最后对氧化镝纳米粉末依次进行预压、冷等静压成型、高温无压烧结及机械加工获得氧化镝透明陶瓷；本发明方法的优点是获得的氧化镝纳米粉末具有较高的烧结活性且未产生严重的团聚现象，不仅可通过无压烧结技术制备出氧化镝透明陶瓷，而且可制备出高透过率的氧化镝透明陶瓷。
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