公开(公告)号：CN101333683B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200710126779.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 宁波大学

Inventor： 潘建国 ,  张公军 ,  刘晓利 ,  陈素珍 ,  陈红兵 ,  蒋成勇

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称：CVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV2O5，属于正交晶系，空间群为Ima2，单胞参数为：α＝β＝γ＝90.000，晶体的颜色为黄色，不溶于水。用分析纯Cs2CO3和V2O5为原料，按按摩尔比为1∶2~1∶1.5称量，经研磨混合后置于铂金坩埚中，加热至500℃，即得到钒酸铯。晶体是同成分融化的，可用提拉法或下降法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。

公开(公告)号：CN101333683A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710126779.1

申请日：2007-06-29

Applicant: 宁波大学

Inventor： 潘建国 ,  张公军 ,  刘晓利 ,  陈素珍 ,  陈红兵 ,  蒋成勇

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及一种新型红外非线性晶体钒酸铯(简称：CVO)，属于光学和人工晶体材料领域。它的分子式为CsV2O5，属于正交晶系，空间群为Ima2，单胞参数为：a＝9.7169，b＝5.6564，c＝10.4462，α＝β＝γ＝90.000， V＝574.15(20)3。晶体的颜色为黄色，不溶于水。用分析纯Cs2CO3和V2O5为原料，按按摩尔比为1∶2～1∶1.5称量，经研磨混合后置于铂金坩埚中，加热至500℃，即得到钒酸铯。晶体是同成分融化的，可用提拉法或下降法生长晶体。该晶体用于中远红外区的非线性光学领域的应用。

公开(公告)号：CN101294302A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200710101530.5

申请日：2007-04-25

Applicant: 宁波大学

Inventor： 蒋成勇 ,  陈红兵 ,  周昌勇 ,  肖华平 ,  徐方

IPC: C30B29/28

Abstract: 一种新型闪烁或激光材料一掺稀土的镥铝石榴石晶体的生长方法，该材料是以钇铝石榴石这种最常用的闪烁或激光的基质材料之一为基础，在保持原有的光学特性外，通过将镥离子替代钇离子来获得更高的密度和性能，并通过掺杂稀土离子来获得所需的光学特性。将以Lu2O3及Al2O3粉体原料制备成硝酸盐，通过调整pH值来产生沉淀，这样可以避免常见的原料混合高温煅烧法引起的掺杂离子价态变化，并通过晶体生长完成后的处理，降低色心等点缺陷的浓度。从而提高制备出的晶体的质量。

公开(公告)号：CN101070607A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200610081630.1

申请日：2006-05-10

Applicant: 宁波大学 ,  昆明物理研究所

Inventor： 陈红兵 ,  杨培志 ,  周昌勇 ,  肖华平 ,  蒋成勇

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明公开了新型闪烁晶体LaBr3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaBr3·7H2O和CeBr3·7H2O为初始原料，通过卤化焙烧脱水处理以制备无水溴化物LaBr3和CeBr3；按照适当CeBr3掺杂浓度制备LaBr3:Ce3+配合料，并掺入少量活性碳粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于850～900℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaBr3:Ce3+单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaBr3:Ce3+单晶。

公开(公告)号：CN101037216A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200610067759.7

申请日：2006-03-14

Applicant: 宁波大学 ,  昆明物理研究所

Inventor： 陈红兵 ,  杨培志 ,  周昌勇 ,  蒋成勇

IPC: C01F17/00

Abstract: 本发明公开了无水氯化镧的氯化焙烧脱水法制备工艺，该技术属于精细无机化学试剂制备技术领域。以LaCl3·7H2O为初始原料，采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备。在氯化焙烧脱水处理过程中，保持通入足量干燥氯化氢气体，逐步升高焙烧温度，焙烧温度控制于200～300℃，进行5～10小时焙烧处理。此工艺能够充分有效地抑制水解反应，避免产生氯氧化镧杂质，从而制备出较高纯度的无水氯化镧，所获无水氯化镧试剂可广泛应用于金属镧的熔盐电解法生产、相关稀土材料的制备等技术领域。

公开(公告)号：CN1932087A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200510099343.9

申请日：2005-09-14

Applicant: 宁波大学 ,  昆明物理研究所

Inventor： 陈红兵 ,  杨培志 ,  周昌勇 ,  蒋成勇

IPC: C30B29/12 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了新型闪烁晶体LaCl3:Ce3+的坩埚下降法生长工艺，该技术属于单晶生长领域。以LaCl3·7H2O和CeCl3·7H2O为初始原料，通过氯化焙烧脱水处理以制备无水氯化物LaCl3和CeCl3；按照适当CeCl3掺杂浓度制备LaCl3:Ce3+配合料，并掺入少量活性炭粉作为脱氧剂。采用特制铂坩埚填装籽晶和原料，将坩埚焊封后置于晶体生长炉中，控制炉温于920～980℃，调节坩埚位置使原料和籽晶熔接，形成温度梯度为20～50℃/厘米的固液界面，以0.3～3毫米/小时的速率进行坩埚下降晶体生长，可生长出优质完整的LaCl3:Ce3+单晶。该工艺解决了无水原料制备、熔体氧化和挥发等关键技术问题，可在非真空密闭坩埚条件下批量生长LaCl3:Ce3+单晶。