公开(公告)号：CN119352159A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411925891.1

申请日：2024-12-25

Applicant: 宁波大学

Inventor： 郑燕青 ,  梁团结 ,  孙志刚 ,  姜林文 ,  李星

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00 ,  C30B11/14 ,  C30B28/02 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明公开了镱离子掺杂硼酸氧钙钐非线性光学晶体及其制备方法与用途，该晶体属于单斜晶系，m点群，Cm空间群，化学式为YbxSm1‑xCa4O(BO3)3，为0.1~0.99，晶胞参数为a=8.064~8.110Å，b=16.045~16.062Å，c=3.570~3.600Å，α=γ=90°，β=100.80°~101.38°，具有良好的结晶质量和高达87%的透过率，其可以应用于高功率激光器，在光刻机、激光医疗、激光切割等领域具有广泛的应用，制备方法具有成本低，质量高，性能稳定和适合规模化生产等优点。

公开(公告)号：CN114875487A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210448357.0

申请日：2022-04-26

Applicant: 宁波大学

Inventor： 严思琴 ,  孙志刚 ,  钱慧宇 ,  赵涛 ,  陈红兵 ,  郑燕青

IPC: C30B29/10 ,  C30B11/02 ,  G02F1/355 ,  C30B11/14

Abstract: 本发明提供一种硼酸氧钙钬晶体的制备方法，属于晶体生长技术领域，该制备方法包括：合成硼酸氧钙钬晶体的多晶料；在至少一个坩埚底部放入硼酸氧钙钬晶体的籽晶，然后在至少一个坩埚中装入多晶料，并对坩埚进行密封；将至少一个坩埚置入晶体生长炉中，匀速升高所述晶体生长炉的炉内温度至接种温度，使得所述坩埚中的多晶料和籽晶顶部熔化；控制至少一个坩埚在温度梯度区中下降，使坩埚内的多晶料从与籽晶接触位置开始结晶，并在多晶料全部结晶后停止下降，之后逐渐降低炉内温度至室温，获得硼酸氧钙钬晶体。本制备方法通过坩埚下降的方法对硼酸氧钙钬进行单晶生长，填补了硼酸氧钙钬在单晶制备领域的空缺。

公开(公告)号：CN119553367A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202510112983.6

申请日：2025-01-24

Applicant: 宁波大学

Inventor： 郑燕青 ,  艾蕾 ,  潘尚可 ,  孙志刚 ,  姜林文 ,  李星

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/00 ,  C30B28/02 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明公开了一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与应用，硅酸镓铌钽钙压电晶体材料属于三方晶系，空间群为P321，化学式为Ca3(Nb0.2Ta0.8)Ga3Si2O14，室温下相对介电常数#imgabs0#大于18，相对介电常数#imgabs1#大于24.6，压电常数d11大于4.2pC/N，600℃下机电耦合系数k12大于12.90%，800℃下电阻率大于2.2×107Ω·cm，使得硅酸镓铌钽钙压电晶体可以作为高温传感领域中一种具有广阔应用前景的压电晶体材料。

公开(公告)号：CN118461137A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410667514.6

申请日：2024-05-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 杨陈 ,  孙志刚 ,  郑燕青 ,  姜林文

IPC: C30B29/22 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明提供一种硼酸氧钙铕晶体及其制备方法和应用，属于无机晶体材料技术领域，所述硼酸氧钙铕晶体的化学式为EuCa4O(BO3)3；所述硼酸氧钙铕晶体具有非中心对称结构，属于单斜晶系m点群，晶胞参数#imgabs0##imgabs1#α＝γ＝90°，β＝101.29°。本发明提供了一种硼酸氧钙铕新型晶体，以及通过坩埚下降法生成硼酸氧钙铕体块单晶的生长方法，该硼酸氧钙铕晶体及其制备方法填补了该单晶制备和光学应用领域的研究空缺。

公开(公告)号：CN114709130A

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202111676060.1

申请日：2021-12-31

Applicant: 宁波大学

Inventor： 郑燕青 ,  王帅 ,  孙志刚

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/34 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了基于MOCVD法在硅酸镓镧类晶体衬底上生长GaN单晶薄膜的方法，特点是包括以下步骤：（1）将清洁后的硅酸镓镧类晶体衬底放入金属有机化合物化学气相沉积腔室，向反应室通入H2与NH3的混合气，升温至1000‑1200˚C，保持反应室压力为100‑300 mbar的条件下对衬底高温处理3‑8 min；（2）以三甲基镓和NH3为气源，在400～600˚C温度范围内，在硅酸镓镧类晶体衬底上生长一层低温GaN成核层；（3）将反应室升温至900～1200˚C，在低温GaN成核层上生长出高温GaN单晶薄膜，优点是晶格失配性和热膨胀系数失配性均较低，GaN单晶薄膜质量高。

公开(公告)号：CN119553367B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510112983.6

申请日：2025-01-24

Applicant: 宁波大学

Inventor： 郑燕青 ,  艾蕾 ,  潘尚可 ,  孙志刚 ,  姜林文 ,  李星

IPC: C30B29/34 ,  C30B11/00 ,  C30B28/02 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明公开了一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与应用，硅酸镓铌钽钙压电晶体材料属于三方晶系，空间群为P321，化学式为Ca3(Nb0.2Ta0.8)Ga3Si2O14，室温下相对介电常数#imgabs0#大于18，相对介电常数#imgabs1#大于24.6，压电常数d11大于4.2pC/N，600℃下机电耦合系数k12大于12.90%，800℃下电阻率大于2.2×107Ω·cm，使得硅酸镓铌钽钙压电晶体可以作为高温传感领域中一种具有广阔应用前景的压电晶体材料。