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公开(公告)号：CN119663418A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411836730.5
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种拉晶过程中降低气孔片发生率的方法、单晶晶棒及应用，涉及单晶拉晶技术领域，在装料过程中，将大尺寸硅料与小尺寸硅料以重量配比为0‑3:1‑4装填在石英坩埚中，降低硅料与硅料及硅料与石英坩埚之间的空隙，以降低气泡的产生量，使得拉晶过程中只有少量、甚至没有气泡凝固在单晶中，从而使得切片后有气孔的硅片减少，进而降低气孔片的发生率。
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公开(公告)号：CN119465380A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411655092.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种通过磁场控制小尺寸晶棒氧含量的方法，涉及单晶氧含量控制方法技术领域，在热场结构、拉晶参数相同的情况下，随着MCZ磁场强度降低，晶棒氧含量降低，MCZ磁场强度每降低500GS，晶棒氧含量降低1.5ppma~2.5ppma，以根据需求晶棒氧含量，施加不同的MCZ磁场强度，进行晶棒拉制，得到符合客户要求的氧含量晶棒。
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公开(公告)号：CN118685852A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410733611.0
申请日：2024-06-07
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供改善OISF的拉晶方法，属于缺陷改善方法的技术领域，通过调整液口距，降低径向温度梯度，使得热对流稳定，建立液口距与OISF之间的关系，使得不同的液口距对应不同的OISF，以根据OISF的水平调整液口距，液口距调整简单、便捷且准确，使得拉制晶棒的OISF符合要求。
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公开(公告)号：CN118516751A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410856606.9
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善轻掺头部OISF的直拉单晶硅方法，涉及轻掺拉晶技术领域，在转肩过程中，通过提高转肩拉速，提高散热，以增大温度梯度，增加空位原子减少OISF聚集，降低单晶头部OISF发生率，从而在氧含量高的头部产生的析出物降低，NG率大大降低。
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公开(公告)号：CN118087026A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410230081.8
申请日：2024-02-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种控制单晶硅低氧产品BMD的方法，涉及低氧P型晶棒拉晶技术领域，通过掺氮量的控制，使得拉晶过程中，氮能够促进氧析出物的形成、促进空位和间隙的再结合，从而使得氧析出的边界半径变小，从而影响BMD的密度，以使拉制的晶棒的BMD达到预定水平，使其作为金属吸杂源有效地发挥作用，进而产品符合要求，使得产品良率提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114045556A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111642133.5
申请日：2021-12-29
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种稳定300mm单晶硅片掺砷元素拉晶温度的单晶炉，包括主炉体、测温组件，所述主炉体的侧壁由内至外依次包括主保温层、中保温层和炉壁外层，在中保温层和炉壁外层上设有测温孔，所述测温孔沿主炉体的径向延伸，所述测温孔的一端贯通炉壁外层，所述测温孔的另一端不贯通主保温层，所述测温组件包括圆形测温玻璃、阻隔件，所述圆形测温玻璃盖合在测温孔位于炉壁外层一端的端面，所述阻隔件设有贯通的连接孔，所述阻隔件夹装在中保温层和炉壁外层之间的中空层中，所述阻隔件的连接孔与测温孔同轴，在中空层中安装阻隔件，阻隔件的设置能阻止中空层中的气体进入测温孔，避免测温玻璃被熏黑，解决了300mm单晶硅片掺砷拉晶工艺不稳的问题。
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公开(公告)号：CN113417003A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110688408.2
申请日：2021-06-22
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种能够降低头部氧含量的大直径单晶硅生产方法及装置，属于单晶硅生产技术领域。生产时，单晶硅原料化料后，增加降氧处理过程，对硅熔汤进行搅拌的同时，提高氩气流量至化料结束后氩气流量的1.5倍～3倍，和/或提高拉晶炉的炉内压力为化料结束后炉内压力的1.5倍～3倍，实践结果表明，采用上述手段能够有效地降低单晶硅晶棒的头部氧含量约50%，有效打破了大直径单晶硅晶棒头部氧含量无法进一步降低的技术瓶颈。
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公开(公告)号：CN116607206B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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公开(公告)号：CN119145040A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411353496.0
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低重掺超低阻引放次数的方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。
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公开(公告)号：CN116607206A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310338426.7
申请日：2023-03-31
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种等径过程中的温度补偿方法，包括：从数据库中获取至少两炉等径过程中的温度数据；其中温度数据由若干组等径过程中晶体长度与其所对应的温度值构成；针对每一炉温度数据，计算温度数据中各温度值对应的补温参数；利用各炉的补温参数计算各预定晶体长度所对应的补温设定参数；将补温设定参数导入单晶炉的系统中，以实现对单晶在等径过程中的温度补偿。本方案采用的数据量更多，数据覆盖面也大，从而得到的温度补偿数据更加可靠，对于晶体的正常生长也更加有利，而且在计算出补温设定参数后，可以直接导入单晶炉的系统中，不需要人工处理，可以节省大量的时间和人力。
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