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公开(公告)号：CN119663421A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411835394.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种改善单晶硅片气孔的方法及中部加热器，属于单晶硅生产技术领域。包括以下步骤：S1、在单晶炉上依次安装底部加热器、中部加热器及上部加热器，所述中部加热器包括加热器主体及连接支脚，所述加热器主体包括竖直部及倾斜部，所述竖直部及所述倾斜部的位置与坩埚的R部及底部相对应，以通过竖直部及倾斜部对坩埚R部及底部进行加热；S2、在化料过程中，开启上部加热器、中部加热器以及底部加热器，对坩埚内的多晶硅料进行熔化；S3、化料结束后，关闭中部加热器及底部加热器，并继续后续的拉晶工序。本发明通过中部加热器及底部加热器的综合作用，使坩埚底部温度高于坩埚上部温度，坩埚底部熔硅中的气泡能够有效溢出，从而有效改善单晶硅片的气孔。
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公开(公告)号：CN118685850B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202410762951.6
申请日：2024-06-13
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低硅单晶氧含量的装置及方法，属于单晶硅生产技术领域，包括：单晶炉，单晶炉内部设置有坩埚；热屏，热屏设置在坩埚的上方，热屏包括上段热屏和下段热屏，上段热屏包括倾斜段和竖直段，下段热屏包括下段外侧和下段内侧，下段外侧与竖直段连接，且下段外侧倾斜设置，以增大熔体表面氧元素的挥发量；石墨中轴，石墨中轴设置在坩埚的下方，石墨中轴中心设置有合金中轴，合金中轴下方安装有升降装置，且合金中轴内部通入有冷却水，以在拉晶过程中通过升降装置控制合金中轴的位置，来控制坩埚的温度，减少氧元素的产生。本发明通过改进热屏及中轴的结构，在保证大尺寸单晶硅长晶稳定的情况下，将单晶硅棒中的氧含量控制在5ppma以下。
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公开(公告)号：CN118087022A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410311200.2
申请日：2024-03-19
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种防止晶棒掉落的稳定装置及稳定方法。包括：内环、移动装置以及夹紧装置；内环为筒状，内设于单晶炉的上炉筒内，并与上炉筒固定连接，内环的轴向方向与上炉筒的轴向方向一致；内环沿径向方向对称设置有两个缺口，且缺口沿内环的轴向方向延伸；移动装置安装于缺口内，以沿着上炉筒的轴向方向移动；夹紧装置安装于移动装置远离上炉筒侧壁的侧面，并沿上炉筒的径向方向伸缩，以在移动装置带动夹紧装置移动至对应位置时，夹紧装置沿上炉筒的径向方向向晶棒伸出，以在接触晶棒后夹紧晶棒。在冷却工序及取棒工序中通过本发明的防止晶棒掉落的稳定装置对晶棒进行夹紧，从而防止晶棒掉落。
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公开(公告)号：CN119243322A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411381079.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于降低晶体碳含量的拉晶方法，涉及直拉单晶方法技术领域，采用预定导流筒进行拉晶，在保证热场热稳定性、机械强度的情况下，一方面，以降低高温下C的产生，从而减少C与炉内惰性气体中的氧气发生化学反应生成CO；另一方面，减少C与石英坩埚发生反应生成CO；然后在等径过程中通过预定炉压、预定氩气流量将产生的CO带走，以减少CO进入硅溶液中的量，从而降低硅单晶中碳含量。
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公开(公告)号：CN118581562A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410652651.2
申请日：2024-05-24
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供用于降低轻掺晶棒头部电阻反翘长度的拉晶方法，属于轻掺单晶硅制备方法的技术领域，采用MCZ进行重掺拉晶，控制磁场强度为2000GS~2500GS，晶转为第一预定转速，埚转为第二预定转速，炉压为预定炉压，惰性气体流量为预定流量进行拉晶，使得拉晶过程中，一方面，掺杂剂的有效分凝系数无限接近其平均分凝系数，进而掺杂剂进入晶体的量增大，晶体头部的电阻会降低，进而得到的晶棒的头部电阻下降；另一方面，通过调整上述参数，使得边界层的厚度降低，固液界面的杂质浓度降低，杂质的富集量也降低，进而降低晶棒因杂质富产生位错造成断棱的概率；再一方面，本发明得到的晶棒的氧含量低于5ppma，符合用于IGBT衬底的晶圆的要求。
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公开(公告)号：CN117418301A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311399473.9
申请日：2023-10-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种降低晶棒中点缺陷的拉晶方法及单晶晶棒，涉及单晶硅拉晶技术领域，在拉晶过程中，控制晶棒的拉速为预定拉速，进而建立温度梯度近似为1的热环境，使得晶棒在拉制过程中COP缺陷不易产生，进而降低晶棒中点缺陷。
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公开(公告)号：CN119243323A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411381456.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于提高重掺面内电阻均匀性的拉晶方法，涉及重掺单晶拉晶方法技术领域，包括依次进行的掺杂步骤、氧化步骤、试温步骤，在所述掺杂步骤与所述试温步骤之间增加氧化步骤，通过在掺杂结束后，在预定坩埚转速、预定氩气流量、预定炉压下氧化预定时间，一方面，掺杂剂挥发量最小进而掺杂剂最大程度进入熔汤表面，进而保证电阻率要求；另一方面，改善熔汤对流，使得熔汤上表面的掺杂剂进入熔汤中后能够充分得到“搅拌”进而杂质在熔汤内分布均匀，使得放肩NG率降低。
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公开(公告)号：CN119082849A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411211913.8
申请日：2024-08-30
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供提高12寸轻掺单晶稳定性的方法，涉及轻掺单晶拉晶方法技术领域，在预定散热热场下，进行轻掺单晶拉制，在等径过程中，在预定拉速范围及预定温度范围内进行晶棒拉制，使得高氧情况下，拉速增大，轴向温度梯度减小，空位增多，在晶棒不变形的前提下，进而生成OISF的区域越靠近晶棒边缘，直至消失，使得降低OISF缺陷得到改善，硅片不易断裂，进而制得的外延片的稳定性提高。
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公开(公告)号：CN117107352A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310923647.0
申请日：2023-07-26
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 一种降低硅单晶拉制过程中微缺陷形成的装置及安装方法，该装置包括降温部件、法兰和辅助降温组件；降温部件包括内筒和外筒，内筒的中间为空心结构，用于在硅单晶拉制过程中通过硅单晶，内筒的上端与法兰固定；外筒密封包裹在内筒的外表面，外筒的上端与法兰的下表面固定，外筒和内筒之间的密封空间内设置有水道，该水道的进水口和出水口分别正对设置于外筒两侧；辅助降温组件包裹在降温部件的外表面上，且降温部件的外表面与该辅助降温组件的内表面之间存在间隙，该辅助降温组件上设置有若干个气体导向孔，用于在单晶硅拉制过程中氩气通过气体导向孔吹向降温部件的外表面。本方案能够降低单晶硅中缺陷的含量，从而提高拉制的单晶硅的质量。
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公开(公告)号：CN119392354A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411502798.X
申请日：2024-10-25
Applicant: 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于废水处理技术领域，具体涉及一种用于减少引放次数的硅熔体重掺磷方法及其装置，化完料后，熔硅体自动安定；首次掺杂时关闭磁场，防止磁场抑制熔体对流，同时将锅转速率提升至第一速率、将氩气流量提高至第一流量、功率增大至第一功率、炉压升高至第一炉压，用于加快熔体对流；掺杂结束后打开磁场，进行试温和拉晶步骤，若未出现放肩断棱、等径断棱，则拉晶结束，若出现肩断棱、等径断棱，则进行补掺，补掺时关闭磁场，所述补掺的次数不超过4次，补掺时将锅转速率提升至第二速率、将氩气流量提高至第二流量、功率增大至第二功率、炉压升高至第二炉压，硅熔体的对流效果得到显著提升，减少磷与氧在高温下结合形成难溶物，减少引放次数。
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