公开(公告)号：CN101140969A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200610154113.2

申请日：2006-09-08

Applicant: 希特隆股份有限公司 ,  学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李奎哲 ,  安星振 ,  金容进 ,  李东键

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。

公开(公告)号：CN101140969B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200610154113.2

申请日：2006-09-08

Applicant: 希特隆股份有限公司 ,  乐金显示有限公司

Inventor： 李奎哲 ,  安星振 ,  金容进 ,  李东键

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01S5/00

Abstract: 化合物半导体器件及其制造方法。该方法包括在衬底上涂覆多个球形球并在其上涂覆有球形球的衬底上选择性生长化合物半导体薄膜。整个过程可以被简化，并且与外延横向过生长(ELO)法相比可以在短时间内生长高质量的化合物半导体薄膜。