公开(公告)号：CN117418197A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311272007.4

申请日：2023-09-27

Applicant: 季华实验室

Inventor： 徐秀兰 ,  赵荻 ,  郭奇勋 ,  于广华

IPC: C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  G01D5/12

Abstract: 本发明涉及材料领域，具体涉及一种FeCoCr薄膜及其制备方法和应用、所述FeCoCr薄膜包括多层结构，所述多层结构包括基底层和FeCoCr层，以及设在所述基底层和所述FeCoCr层之间的Pt层，引入Pt层后，由于Pt层的加入与FeCoCr层发生扩散反应，从而在薄膜中产生了L10‑FePt相，形成了硬磁新相，使得FeCoCr薄膜的矫顽力得到大幅提升，同时，Pt元素有效地促进了FeCoCr薄膜内部α相调幅分解为强磁相与富Cr的非磁相，而富Cr的非磁相在薄膜内部起到钉扎磁畴的作用，又进一步地大幅提高材料的矫顽力，通过两个机制协同作用，使得FeCoCr薄膜的矫顽力得到大幅度的提升，因此，后续使用FeCoCr薄膜制备的码盘材料材料具有更高的性能，同时码盘信号写入后具有更高的稳定性和抗外界干扰能力。