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公开(公告)号:CN116623296A
公开(公告)日:2023-08-22
申请号:CN202310419900.9
申请日:2023-04-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法,属于半导体加工领域,将生长外延层的步骤分成了若干个周期,每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程,气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量,且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中,能够周期性地修正反应室中的气氛,全程不会完全中断生长源气流,对台阶流生长模式的影响小,有利于降低外延片缺陷密度,低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果,有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量,从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础,能进一步减少外延片缺陷。
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公开(公告)号:CN119191164A
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411724950.9
申请日:2024-11-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体装备技术领域,特别是一种粒子直线加速器辅助拆装装置,其包括机架、升降架、驱动装置和旋转支架,升降架设置在机架上,驱动装置设置在升降架的活动端上,旋转支架包括支撑座、辊轴和辊轮,辊轴呈V形布置在支撑座上,辊轮可滑动地套接在辊轴上,辊轮用于放置粒子直线加速管,驱动装置带动旋转支架摆动,升降架带动支撑座上下移动。本辅助拆装装置融合了升降和倾斜功能,能够应对两端安装孔位不在同一水平线的情况。通过辊轴和辊轮的配合,粒子加速管不仅可以在支撑座上沿轴向方向移动,还可以围绕辊轴进行旋转,从而适应各种安装需求。
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