一种测定磺化聚醚醚酮中硫含量的方法

    公开(公告)号:CN119086479A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411576236.X

    申请日:2024-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种测定磺化聚醚醚酮中硫含量的方法,属于材料分析领域,步骤包括将样品放入瓷舟坩埚中,一同推入带有电阻炉的碳硫分析仪中利用红外吸收法检测硫含量,在所述瓷舟坩埚中,所述样品的上表面覆盖有第一促释剂粉末,所述第一促释剂的硫含量小于0.0005%,所述第一促释剂选自三氧化钨、氧化钙、二氧化硅、锡、镍或铁。第一促释剂能够遮盖样品,可以避免松散的磺化聚醚醚酮被载气吹走,避免样品燃烧不完全,而且促释剂可以促进磺化聚醚醚酮中硫元素释放,避免因磺化聚醚醚酮的硫释放缓慢而引起积分曲线失准,有利于提高测试的稳定性和精确度。

    样品溅射速率的获取方法及测定方法

    公开(公告)号:CN119290942A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411804395.0

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种样品溅射速率的获取方法及测定方法,涉及材料检测及分析技术领域,通过在获取得到的溅射深度剖析图满足目标条件的情况下,获得溅射剖析至待测样本的界面位置时的目标刻蚀时长,基于目标刻蚀时长和待测样品的厚度,获得待测样品的刻蚀速率,使得本发明能够准确确定出界面位置,同时,在准确获取界面位置的前提下,能够准确测出界面位置所对应的精确的目标刻蚀时刻,进而得出溅射至界面位置时的准确的目标刻蚀时长,实现准确测定界面位置的刻蚀速率的功能。

    一种测定锂离子电池三元材料中硫含量的方法

    公开(公告)号:CN119438483A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202411656703.X

    申请日:2024-11-19

    Abstract: 本发明公开了一种测定锂离子电池三元材料中硫含量的方法,属于仪器分析领域,步骤包括将样品放在T型坩埚中,一同推入带有高频感应炉的碳硫分析仪中,利用红外吸收法检测硫含量,在T型坩埚中,样品被金属箔包裹,金属箔下方铺垫有第一导磁物,金属箔上方覆盖有第二导磁物。该方法能减少样品溅到坩埚壁上,使样品燃烧完全,实验表明金属箔不但可以包覆样品,同时也起着促进硫释放的作用,可提高测试结果的稳定性和精确度;导磁物质在金属箔底部和表面都有一层,有利于样品燃烧完全,使硫释放加快。

    基于核磁共振波谱的不饱和脂肪酸碳碳双键位置鉴定方法

    公开(公告)号:CN119086623A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411380445.7

    申请日:2024-09-30

    Abstract: 本申请涉及分析方法领域,主要涉及一种基于核磁共振波谱的不饱和脂肪酸碳碳双键位置鉴定方法,步骤包括:对待分析不饱和脂肪酸进行一维核磁分析,确定待分析不饱和脂肪酸的不饱和度和分子式;对待分析不饱和脂肪酸进行二维核磁分析,根据一维核磁分析和二维核磁分析的分析结果,获取待分析不饱和脂肪酸中结构A的结构信息、结构B的碳数目信息以及结构C的碳数目信息;根据待分析不饱和脂肪酸的不饱和度和分子式、结构A的结构信息、结构B的碳数目信息以及结构C的碳数目信息确定待分析不饱和脂肪酸中碳碳双键的位置。该方法结合一维和二维核磁分析就能够简单快速地鉴定不饱和脂肪酸中碳碳双键位置,无需对样品进行衍生等复杂的预处理。

    材料界面厚度的XPS测定方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119555002A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411831121.0

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种材料界面厚度的XPS测定方法,涉及材料检测及分析技术领域,通过获取待测样品的目标界面厚度序列,将满足预设条件的目标界面厚度作为待测样品的标准界面厚度,在使用时,将多个标准界面厚度中同时满足预设刻蚀面积和预设扫描面积的比值大于第一预设值且任意相邻的两个目标界面厚度之间的差值不大于第二预设值所对应的目标刻蚀厚度为标准界面厚度,将预设刻蚀面积和信号采集面积的比值大于第一预设值这一维度,以及目标界面厚度与上一目标界面厚度和/或下一目标界面厚度之间的差值不大于第二预设值这一维度组成两个评价条件,并使用这两个评价条件同时测定界面厚度,确保了界面厚度的测试精度。

    一种金属管材焊接接头缺陷的检测分析方法

    公开(公告)号:CN119534519A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411831377.1

    申请日:2024-12-12

    Abstract: 本发明公开了一种金属管材焊接接头缺陷的检测分析方法,属于金属焊接性能检测技术领域。本发明以金属管材作为待测样品,所述金属管材包括非焊接区和焊接区,所述非焊接区和焊接区之间的交界处为过渡区;对所述焊接区的焊缝进行纵向解剖得到待测区域;用场发射电子探针观察分析所述待测区域的焊缝形貌,判断所述焊缝形貌是否存在非熔透焊接和/或焊接裂纹;如存在,则结束检测,如不存在,利用所述场发射电子探针和X射线光谱仪对所述待测区域进行元素偏析分析和夹杂物分析。本发明将宏观分析和微观分析相结合,能够全面判断金属管材的焊接区域的显微裂纹情况、元素偏析情况和非金属夹杂缺陷等情况,而且是一种无损的高精度的检测分析方法。

    一种用于多芯片器件的拉伸试验装置

    公开(公告)号:CN222800504U

    公开(公告)日:2025-04-25

    申请号:CN202421552540.6

    申请日:2024-07-02

    Abstract: 本实用新型公开一种用于多芯片器件的拉伸试验装置,包括拉伸机、拉伸模具以及拉伸连接组件;所述拉伸机包括拉伸平台、上夹头以及下夹头;所述拉伸平台固定连接在下夹头上;所述拉伸模具设有若干个且均为中空的矩形结构;所述拉伸模具设有与SiP芯片匹配的内腔;所述拉伸连接组件包括拉伸连接块以及用于连接在拉伸连接块和上夹头之间的拉伸杆;所述拉伸连接块的数量与拉伸模具的数量相同;在拉伸状态下,所述拉伸连接块位于拉伸模具的内腔中与SiP芯片粘连。该拉伸试验装置不仅可以对芯片的基板进行粘连固定,还解决了SiP芯片各部件高度不均匀难以粘接和使用较多粘结剂时溢出的问题,适用于具有多个芯片的器件的拉伸试验。

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