公开(公告)号：CN119555002A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411831121.0

申请日：2024-12-12

Applicant: 季华实验室

Inventor： 范燕 ,  谭军 ,  周玉铎 ,  顾玥 ,  刘振东 ,  王双 ,  谭晓逸

IPC: G01B15/02

Abstract: 本发明公开了一种材料界面厚度的XPS测定方法，涉及材料检测及分析技术领域，通过获取待测样品的目标界面厚度序列，将满足预设条件的目标界面厚度作为待测样品的标准界面厚度，在使用时，将多个标准界面厚度中同时满足预设刻蚀面积和预设扫描面积的比值大于第一预设值且任意相邻的两个目标界面厚度之间的差值不大于第二预设值所对应的目标刻蚀厚度为标准界面厚度，将预设刻蚀面积和信号采集面积的比值大于第一预设值这一维度，以及目标界面厚度与上一目标界面厚度和/或下一目标界面厚度之间的差值不大于第二预设值这一维度组成两个评价条件，并使用这两个评价条件同时测定界面厚度，确保了界面厚度的测试精度。

公开(公告)号：CN119290942A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411804395.0

申请日：2024-12-10

Applicant: 季华实验室

Inventor： 范燕 ,  谭军 ,  周玉铎 ,  顾玥 ,  刘振东 ,  谭晓逸 ,  王双

IPC: G01N23/2273

Abstract: 本发明公开了一种样品溅射速率的获取方法及测定方法，涉及材料检测及分析技术领域，通过在获取得到的溅射深度剖析图满足目标条件的情况下，获得溅射剖析至待测样本的界面位置时的目标刻蚀时长，基于目标刻蚀时长和待测样品的厚度，获得待测样品的刻蚀速率，使得本发明能够准确确定出界面位置，同时，在准确获取界面位置的前提下，能够准确测出界面位置所对应的精确的目标刻蚀时刻，进而得出溅射至界面位置时的准确的目标刻蚀时长，实现准确测定界面位置的刻蚀速率的功能。