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公开(公告)号：CN100499116C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710086871.X
申请日：2007-03-21
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Inventor： 蔡明霖
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011
Abstract: 本发明提供一种芯片封装体，其包括一承载器、一硅基板与一第一整合型无源元件层。硅基板具有彼此相对的一第一表面与一第二表面。第一整合型无源元件层配置于第一表面上，且第一整合型无源元件层具有一第一接垫群。第一接垫群配置于第一整合型无源元件层的相对两侧上。本发明所述的芯片封装体，承载器的元件配置密度较高，且该芯片封装体的制造方式不必额外的工艺设备而可与现有工艺整合。
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公开(公告)号：CN1929131A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610141121.3
申请日：2006-10-11
Applicant: 威盛电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H05K1/18
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，其包括一第一基板、一基频元件、一射频模块以及至少一第一电性连接元件。其中基频元件电性连接至第一基板上，而射频模块经由这些第一电性连接元件而电性连接至第一基板。本发明所述的电子装置的体积较小且元件配置密度可较高。
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公开(公告)号：CN101022266A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610170352.7
申请日：2006-12-29
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Inventor： 蔡明霖
Abstract: 本发明提供一种功率放大器。上述功率放大器放大一输入信号用以产生一输出信号，包括一叠接单元以及一偏压电路。该叠接单元包括一叠接阶段、一第一输入阶段以及一第二输入阶段。该叠接阶段产生上述输出信号。该第一输入阶段和上述叠接阶段形成叠接，具有用来偏压的第一信号输入用以提供第一放大器增益。该第二输入阶段和上述叠接阶段形成叠接，具有用来偏压的第二信号输入用以提供第二放大器增益。该偏压电路，耦接到上述第一和第二输入阶段，包括一第一开关和一第二开关。该第一开关，耦接到上述第一输入阶段，切换到一偏压电压用以致能上述第一输入阶段。该第二开关，耦接到上述第二输入阶段，切换到上述偏压电压用以致能上述第二输入阶段。
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公开(公告)号：CN1929132A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610141122.8
申请日：2006-10-11
Applicant: 威盛电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H05K1/18
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，其包括一基频模块、一射频模块、至少一电性连接元件、一第一通讯组件与一第二通讯组件。其中基频模块经由这些电性连接元件而电性连接至射频模块，而第一通讯组件设置于基频模块上，且第二通讯组件设置于射频模块上。本发明所述的电子装置的体积较小且元件配置密度可较高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100568501C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200610141121.3
申请日：2006-10-11
Applicant: 威盛电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H05K1/18
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，其包括一第一基板、一基频元件、一射频模块以及至少一第一电性连接元件。其中射频模块包括：一射频元件以及一整合型无源元件，其中整合型无源元件整合多个有源元件和多个无源元件于一第二基板。其中基频元件电性连接至第一基板上，而射频模块经由这些第一电性连接元件而电性连接至第一基板。本发明所述的电子装置的体积较小且元件配置密度可较高。
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公开(公告)号：CN100481443C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610141122.8
申请日：2006-10-11
Applicant: 威盛电子股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H05K1/18
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种电子装置，其包括一基频模块、一射频模块、至少一电性连接元件、一第一通讯组件与一第二通讯组件。其中基频模块经由这些电性连接元件而电性连接至射频模块，而第一通讯组件设置于基频模块上，且第二通讯组件设置于射频模块上。本发明所述的电子装置的体积较小且元件配置密度可较高。
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公开(公告)号：CN100461621C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610170352.7
申请日：2006-12-29
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Inventor： 蔡明霖
Abstract: 本发明提供一种功率放大器。上述功率放大器放大一输入信号用以产生一输出信号，包括一叠接单元以及一偏压电路。该叠接单元包括一叠接阶段、一第一输入阶段以及一第二输入阶段。该叠接阶段产生上述输出信号。该第一输入阶段和上述叠接阶段形成叠接，具有用来偏压的第一信号输入用以提供第一放大器增益。该第二输入阶段和上述叠接阶段形成叠接，具有用来偏压的第二信号输入用以提供第二放大器增益。该偏压电路，耦接到上述第一和第二输入阶段，包括一第一开关和一第二开关。该第一开关，耦接到上述第一输入阶段，切换到一偏压电压用以致能上述第一输入阶段。该第二开关，耦接到上述第二输入阶段，切换到上述偏压电压用以致能上述第二输入阶段。
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公开(公告)号：CN101022103A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710086871.X
申请日：2007-03-21
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Inventor： 蔡明霖
IPC: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16265 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15156 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19011
Abstract: 本发明提供一种芯片封装体，其包括一承载器、一硅基板与一第一整合型被动元件层。硅基板具有彼此相对的一第一表面与一第二表面。第一整合型被动元件层配置于第一表面上，且第一整合型被动元件层具有一第一接垫群。第一接垫群配置于第一整合型被动元件层的相对两侧上。本发明所述的芯片封装体，承载器的元件配置密度较高，且该芯片封装体的制造方式不必额外的制程设备而可与现有制程整合。
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公开(公告)号：CN2906928Y
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200520037729.2
申请日：2005-12-28
Applicant: 威盛电子股份有限公司
Abstract: 一种集成电路芯片包括至少一输入垫，至少一内部电路以及一静电防护电路。静电防护电路被耦合在输入垫与内部电路之间，静电防护电路包括一静电防护元件、一第一导电层及一第二导电层；第一导电层被设置在静电防护元件上并与静电防护元件电连接；第二导电层被设置在第一导电层上并与第一导电层及输入垫电连接，且第二导电层的长度或投影面积分别不大于第一导电层的长度或投影面积。
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