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公开(公告)号：CN102224647B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200980146859.0
申请日：2009-10-21
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
Abstract: 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。
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公开(公告)号：CN102414944A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018847.2
申请日：2010-04-22
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/20 , H01S5/0683
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0683 , H01S5/2031 , H01S5/32341 , H01S5/34 , H01S2301/185 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一覆盖层(1a)和第二覆盖层(1b)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后。波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度(d)，以及在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角彼此相差小于3倍。
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公开(公告)号：CN102414944B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201080018847.2
申请日：2010-04-22
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S5/20 , H01S5/0683
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01S5/02212 , H01S5/028 , H01S5/0281 , H01S5/0683 , H01S5/2031 , H01S5/32341 , H01S5/34 , H01S2301/185 , H01L2924/00014
Abstract: 提出了一种边发射的半导体激光器，具有半导体本体(10)，所述半导体本体具有波导区域(4)，其中波导区域(4)具有第一波导层(2a)、第二波导层(2b)和设置在第一波导层(2a)和第二波导层(2b)之间的用于产生激光辐射(5)的有源层(3)，波导区域(4)设置在第一覆盖层(1a)和第二覆盖层(1b)之间，所述第二覆盖层在半导体本体(10)的生长方向上设置在波导区域(4)之后。波导区域(4)具有400nm或者更小的厚度(d)，以及在平行于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角和在垂直于有源层(3)的层平面的方向上从半导体本体(10)出射的激光辐射(5)的发射角彼此相差小于3倍。
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公开(公告)号：CN102246527B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980150254.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
Abstract: 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
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公开(公告)号：CN104319331B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104319331A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410437730.8
申请日：2010-03-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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公开(公告)号：CN102356522A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201080012813.2
申请日：2010-01-20
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H01S3/0941 , H01S5/40 , H01S5/42
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S3/094096 , H01S3/0941 , H01S5/0425 , H01S5/1053 , H01S5/3095 , H01S5/4043 , H01S5/405 , H01S5/4087 , H01S5/423
Abstract: 在光电子半导体部件(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体部件包括：外延生长的半导体本体(2)，其带有至少一个有源层(3)。此外，半导体部件(1)的半导体本体(2)具有至少一个势垒层(4)，其中所述势垒层(4)直接与所述有源层(3)邻接。有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度沿着变化方向或纵向方向(L)、垂直于半导体本体(2)的生长方向(G)变化。通过有源层(3)和/或势垒层(4)的材料组分和/或层厚度的变化，同样沿着变化方向或沿着纵向方向(L)调节在有源层(3)中产生的辐射(R)的发射波长(λ)。
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公开(公告)号：CN102369606B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201080014639.5
申请日：2010-03-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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公开(公告)号：CN102369606A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201080014639.5
申请日：2010-03-10
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/3407 , H01S5/3425 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , Y10S977/95 , Y10S977/951 , H01L2924/00
Abstract: 在光电子半导体芯片(1)的至少一个实施形式中，该光电子半导体芯片基于氮化物材料系并且包括至少一个有源量子阱(2)。所述至少一个有源量子阱(2)构建为在工作中产生电磁辐射。此外，所述至少一个有源量子阱(2)在平行于半导体芯片(1)的生长方向z的方向上具有N个相继的区域(A)，其中N是大于或等于2的自然数。区域(A)中的至少两个具有彼此不同的平均铟含量c。
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公开(公告)号：CN102246527A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980150254.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC: H04N9/31
CPC classification number: H04N9/3161 , H01S5/005 , H01S5/02292 , H01S5/4093 , H04N9/3129
Abstract: 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
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