公开(公告)号：CN102224647B

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN200980146859.0

申请日：2009-10-21

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 ,  哈拉尔德·科尼格 ,  沃尔夫冈·赖尔 ,  尤伟·斯特劳斯

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。

公开(公告)号：CN102224647A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146859.0

申请日：2009-10-21

Applicant: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

Inventor： 克里斯蒂安·劳尔 ,  哈拉尔德·科尼格 ,  沃尔夫冈·赖尔 ,  尤伟·斯特劳斯

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/042 ,  H01S5/10

CPC classification number: H01S5/0425 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/10 ,  H01S5/1017 ,  H01S5/1053 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/1228 ,  H01S5/1234 ,  H01S5/1237 ,  H01S5/2036 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/166 ,  H01S2301/18

Abstract: 一种边发射半导体激光器芯片(1)具有：半导体本体(100)，其包括至少一个有源区(14)，在所述有源区(14)中在半导体激光器芯片(1)工作时产生电磁辐射(10)；至少一个接触带(2)，其被设置在半导体本体(100)的上侧上的盖面(1a)上；以及至少两个限制结构(4)，用于限制接触带(2)与有源区(14)之间的电流扩展，其中限制结构(4)被设置在接触带(2)的两侧。