-
公开(公告)号：CN103378817A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310066933.6
申请日：2013-03-04
Applicant: 太阳诱电株式会社
CPC classification number: H03H9/54 , H03H9/02228 , H03H9/0571 , H03H9/0576 , H03H9/706 , H03H9/725
Abstract: 本发明提供滤波器装置、滤波器装置的制造方法和双工器，能够确保良好的绝缘特性并实现小型化。本发明的一个实施方式的发送接收滤波器（101）具有发送侧滤波器（101T）、接收侧滤波器（101R）以及支承基板（101s）。发送侧滤波器（101T）包括由BAW器件构成的第1谐振器（ER11）。接收侧滤波器包括由Lamb波器件构成的第2谐振器（ER12）。支承基板（101s）共同支承发送侧滤波器（101T）和接收侧滤波器（101R）。发送侧滤波器（101T）和接收侧滤波器（101R）由以互不相同的振动模式谐振的弹性波谐振器构成，因此，能够防止两个滤波器间的振动干涉并实现支承基板（101s）的小型化。
-
公开(公告)号：CN110660749A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910572313.7
申请日：2019-06-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
Abstract: 本发明提供能够阻止电极层的变形的半导体组件。本发明的一个方式涉及的半导体组件具有：电介质膜、多个电路部件、电极层、刚性部件和密封层。上述电介质膜具有第一面和与上述第一面相反侧的第二面。上述多个电路部件搭载于上述第一面。上述电极层配置于上述第二面，且具有与上述多个电路部件电连接的多个电极部。上述多个电极部的至少一部分具有一轴方向上为长边的基部。上述刚性部件配置于上述第一面，具有沿着上述一轴方向延伸的至少一个条状部，且隔着上述电介质膜与上述基部相对置。上述密封层设置于上述第一面，覆盖上述多个电路部件和上述刚性部件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110739298A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910648958.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供能够容易地进行向厚度与其他部件不同的半导体器件的正面背面电连接的半导体组件。本发明的一个实施方式的半导体组件包括安装基板、第一半导体部件和第二半导体部件。安装基板具有第一电介质膜和电极层，上述第一电介质膜具有包括第一安装区域和第二安装区域的安装面。第一半导体部件搭载于第一安装区域。第二半导体部件搭载于第二安装区域。第二半导体部件具有纵向式功率半导体元件、导电块和配线基板。纵向式功率半导体元件具有包括与电极层连接的第一端子的第一面和包括能够与第一端子电连接的第二端子的第二面。导电块与电极层连接。配线基板将导电块和第二端子电连接。
-
公开(公告)号：CN102165542A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200980137877.2
申请日：2009-10-26
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/016 , H01G4/008 , H01G4/224 , H01G4/33 , H01L28/75
Abstract: 本发明提供一种能够充分获得防止绝缘特性和漏电流特性劣化的效果的薄膜MIM电容器，并且提供制造该薄膜MIM电容器的方法。薄膜MIM电容器(1)在基板(2)上依次层叠有下部电极(3)、贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)形成为大致相同的面积，下部电极(3)为了形成与外部连接的部分，其形状与其他的薄膜不同。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)的侧面由含有与贱金属薄膜(4)相同的金属原子的贱金属氧化物(7)覆盖。
-
公开(公告)号：CN110660785A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910572323.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明提供能够抑制电极端子的疏密所引起的电介质膜的翘曲并提高安装可靠性的半导体组件。本发明的一个方式的半导体组件具有电介质膜、多个电路部件、密封层和电极层。电介质膜具有与第一安装区域相对置的第一区域和与第二安装区域相对置的第二区域。多个电路部件包括搭载于第一安装区域的第一电路部件和搭载于第二安装区域的第二电路部件。电极层具有第一电极组和第二电极组。第一电极组覆盖第一区域的大致整个区域，且包括与第一电路部件电连接的多个第一电极端子。第二电极组覆盖第二区域的大致整个区域，且包括与第二电路部件电连接的多个第二电极端子。
-
公开(公告)号：CN104520991A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380040723.8
申请日：2013-08-11
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1206 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , G11C16/0466 , H01L45/08 , H01L45/10 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种电阻变化存储器元件(20A)，其包括：电阻变化绝缘膜(8)；源极电极(17A)，其配置在所述电阻变化绝缘膜的第1主面上；漏极电极(18A)，其配置在所述第1主面上；及栅极电极(19A)，其配置在与所述第1主面上相向的所述电阻变化绝缘膜的第2主面上。
-
公开(公告)号：CN102165542B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN200980137877.2
申请日：2009-10-26
Applicant: 太阳诱电株式会社
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/016 , H01G4/008 , H01G4/224 , H01G4/33 , H01L28/75
Abstract: 本发明提供一种能够充分获得防止绝缘特性和漏电流特性劣化的效果的薄膜MIM电容器，并且提供制造该薄膜MIM电容器的方法。薄膜MIM电容器(1)在基板(2)上依次层叠有下部电极(3)、贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)形成为大致相同的面积，下部电极(3)为了形成与外部连接的部分，其形状与其他的薄膜不同。贱金属薄膜(4)、电介质薄膜(5)和上部电极(6)的侧面由含有与贱金属薄膜(4)相同的金属原子的贱金属氧化物(7)覆盖。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
