公开(公告)号：CN118642351A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410904090.0

申请日：2024-07-08

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘凯 ,  段俊屹 ,  张友民 ,  杨大鹏 ,  王小也 ,  刘永臻 ,  赵晋伟 ,  安帅斌 ,  金泽宇 ,  董哲 ,  闫明 ,  王国庆

IPC: G05B11/42

Abstract: 本发明公开一种面向直接升力弱模型依赖固定翼飞机的下滑改进控制方法，属于固定翼飞机的下滑过程控制技术领域。本发明依据地面建立的固定翼飞机动力学模型，开展基于预设性能/动态逆的弱模型依赖改进直接力下滑控制设计，而后引入在线气动辨识技术降低对精确模型的依赖性。相比于传统控制方法，本发明考虑飞机下滑过程中所面临的复杂环境干扰以及移动平台降落所需较高精度要求等问题，采用预设性能控制对基准控制器进行优化设计，借助在线气动参数辨识结合动态逆控制提高对模型不确定性的适应性，为提高下滑轨迹控制能力提供一种解决方案，有效提高固定翼飞机下滑过程中的控制精度和鲁棒性，具有长远的应用前景。

公开(公告)号：CN116991170B

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310670667.1

申请日：2023-06-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘凯 ,  霍少泽 ,  阮仕龙 ,  董哲 ,  侯铮 ,  曲晓雷 ,  李贺琦 ,  王世鹏 ,  吴国强 ,  王国庆 ,  唐莺瑜

IPC: G05D1/654 ,  G05D109/20

Abstract: 本发明公开一种短距起飞和垂直降落飞机的降落阶段自适应控制设计方法。本发明通过设计高度环和姿态环两个控制回路实现飞机跟踪控制，姿态环设计为PID控制器，以此通过飞机俯仰角实时调节完成前向速度的控制，高度环外环设计为PID控制器，将高度指令转化为垂向速度指令；针对低动压飞行过程中飞机模型不确定性和强扰动，在内环设计了L1自适应控制器，通过对模型不确定性和扰动的观测开展自适应补偿控制，实时生成油门指令跟踪垂向速度指令，从而实现高精度高度环控制，避免模型参考自适应控制在自适应增益过大时出现系统震荡发散的危险情况，提升飞行控制品质，降低控制过程中的超调量同时提高系统的响应速度，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116991170A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310670667.1

申请日：2023-06-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 刘凯 ,  霍少泽 ,  阮仕龙 ,  董哲 ,  侯铮 ,  曲晓雷 ,  李贺琦 ,  王世鹏 ,  吴国强 ,  王国庆 ,  唐莺瑜

IPC: G05D1/06

Abstract: 本发明公开一种短距起飞和垂直降落飞机的降落阶段自适应控制设计方法。本发明通过设计高度环和姿态环两个控制回路实现飞机跟踪控制，姿态环设计为PID控制器，以此通过飞机俯仰角实时调节完成前向速度的控制，高度环外环设计为PID控制器，将高度指令转化为垂向速度指令；针对低动压飞行过程中飞机模型不确定性和强扰动，在内环设计了L1自适应控制器，通过对模型不确定性和扰动的观测开展自适应补偿控制，实时生成油门指令跟踪垂向速度指令，从而实现高精度高度环控制，避免模型参考自适应控制在自适应增益过大时出现系统震荡发散的危险情况，提升飞行控制品质，降低控制过程中的超调量同时提高系统的响应速度，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN116842873A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202310861994.5

申请日：2023-07-13

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 郭昕鹭 ,  刘凯 ,  黄艳茹 ,  李天韧 ,  章吉力 ,  王健权 ,  梁玉峰 ,  郭明坤 ,  姜云也 ,  唐莺瑜 ,  王国庆

IPC: G06F30/28 ,  G06F113/08 ,  G06F119/14 ,  G06F111/04

Abstract: 本发明公开一种考虑禁飞区约束的滑翔飞行器可达区域智能求解方法，首先在不考虑禁飞区的情况下，基于常值倾侧角方法求解出滑翔飞行器再入的可达区域，此时将过程约束转化为对倾侧角幅值的约束，根据再入初始状态遍历各个倾侧角指令，得到原始可达区域。之后，引入禁飞区约束，此时认为禁飞区不改变原始不可达区域，而是在原有可达区域的内部增加一部分不可达区域，因此，求解与禁飞区相切的飞行轨迹，以切点作为子评估点求解子可达区域，并且提出极限边界的求解方法，将求解的边界相结合，得到在禁飞区影响下的可达区域。最后，引入智能算法，以禁飞区位置进行输入，子区域作为输出，在保证准确度的基础上大大提高了算法的计算效率。

公开(公告)号：CN101016375A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710010335.1

申请日：2007-02-05

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 朱秀玲 ,  梁勇芳 ,  王国庆 ,  张耀霞 ,  蹇锡高

IPC: C08G65/40 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10 ,  H01M10/02 ,  H01M10/00

Abstract: 本发明公开了二氮杂萘联苯型磺化聚芳醚腈离子导电膜材料制备法，并涉及其应用。其特征在于聚合物含有式1所示的结构单元，通过二氮杂萘酮联苯类双酚、二卤(或二硝基)苯甲腈，3，3’－二磺酸盐－4，4’－芳族二卤(或二硝基)和芳族二卤(或二硝基)为单体，以碱金属或碱土金属的碱或盐类为催化剂，在非质子极性溶剂中通过高温共聚合反应制得。其中R1、R2、R3、R4可以是烷基、烷氧基、苯基、卤素原子或氢原子。本发明的效果和益处是磺化聚芳醚腈具耐高温，韧性好、强度大、溶胀率低、高的质子导电率、良好的亲水性等特点，可应用于燃料电池或储能电池或相关膜分离等技术领域。